[發(fā)明專利]太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711145281.X
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN109801986A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李金來;丁曉龍;李景
• 申請（專利權(quán)）人: 新奧（內(nèi)蒙古）石墨烯材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

襯底；

第一電極，所述第一電極設(shè)置在所述襯底上；

光電轉(zhuǎn)換層，所述光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

第二電極，所述第二電極設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)，所述第二電極包括：氧化銦錫層以及石墨烯層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述石墨烯層設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換層遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)，所述氧化銦錫層設(shè)置在所述石墨烯層遠(yuǎn)離所述光電轉(zhuǎn)換層一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述石墨烯層的厚度不大于5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述光電轉(zhuǎn)換層為單晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述光電轉(zhuǎn)換層的厚度為30～40nm。

6.一種制備權(quán)利要求1～5中任一項所述的太陽能電池的方法，其特征在于，包括：

(1)提供襯底，在所述襯底上表面形成第一電極；

(2)在所述第一電極的上表面形成光電轉(zhuǎn)換層；

(3)在所述光電轉(zhuǎn)換層上表面形成第二電極，所述第二電極包括氧化銦錫層和石墨烯層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，在所述第一電極的上表面形成光電轉(zhuǎn)換層是通過蒸鍍或旋涂進(jìn)行的。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，在所述光電轉(zhuǎn)換層上形成所述第二電極是采用下列步驟進(jìn)行的：

(3-1)將煤進(jìn)行熱解處理，以便得到半焦；

(3-2)以所述半焦為碳源進(jìn)行化學(xué)沉積，以便在光電轉(zhuǎn)換層上表面形成石墨烯層；

(3-3)以金屬銦和錫為靶材，采用濺射的方法在所述石墨烯層上表面形成氧化銦錫層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟(3-1)中，所述煤中固定碳含量高于85％。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟(3-2)中，所述化學(xué)沉積是在還原性氣氛下于900～1000攝氏度下進(jìn)行的。