[發(fā)明專(zhuān)利]反相器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711144531.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109698688B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳智圣;彭天云
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K19/003
• 分類(lèi)號(hào): H03K19/003;H03K19/20
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務(wù)所 31273
• 代理人: 劉民選

1.一種反相器，其特征在于，該反相器包含：

一第一系統(tǒng)電壓端，用以接收一第一電壓；

一第二系統(tǒng)電壓端，用以接收一第二電壓；

一輸出端；

復(fù)數(shù)個(gè)Ｐ型晶體管，彼此串聯(lián)于該第一系統(tǒng)電壓端及該輸出端之間；

復(fù)數(shù)個(gè)N型晶體管，彼此串聯(lián)于該輸出端及該第二系統(tǒng)電壓端之間；及

一第一壓降阻抗組件，與該復(fù)數(shù)個(gè)N型晶體管中的一第一N型晶體管相并聯(lián)；

其中：

該第一壓降阻抗組件的一阻抗小于該第一N型晶體管在截止時(shí)的一阻抗；

該第一壓降阻抗組件包含彼此串聯(lián)的X個(gè)二極管或以二極管形式相串聯(lián)的X個(gè)晶體管；

X為大于1的正整數(shù)；

其中，該X個(gè)二極管中的第一二極管的陰極耦接于該X個(gè)二極管中的第二二極管的陽(yáng)極。

2.如權(quán)利要求1所述的反相器，其特征在于，其中該第一壓降阻抗組件包含一電阻、彼此串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)二極管或以二極管形式相串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)晶體管。

3.如權(quán)利要求2所述的反相器，其特征在于，其中當(dāng)該第一壓降阻抗組件為彼此串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)二極管時(shí)，每一二極管具有一陽(yáng)極及一陰極，且每一二極管的該陽(yáng)極的電壓是低于或高于該陰極的電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的反相器，其特征在于，其中：

該第一N型晶體管具有一第一端耦接于該輸出端，一第二端耦接于該復(fù)數(shù)個(gè)N型晶體管的一第二N型晶體管，及一控制端；

其中該反相器另包含：

一第二壓降阻抗組件，與該第二N型晶體管相并聯(lián)，且該第二壓降阻抗組件的一阻抗小于該第二N型晶體管在截止時(shí)的一阻抗。

5.如權(quán)利要求4所述的反相器，其特征在于，其中該第一壓降阻抗組件與截止中的該第一N型晶體管并聯(lián)的一等效電阻與該第二壓降阻抗組件與截止中的該第二N型晶體管并聯(lián)的一等效電阻相等。

6.如權(quán)利要求4所述的反相器，其特征在于，其中該第一壓降阻抗組件與該第二壓降阻抗組件具有相等的阻抗。

7.如權(quán)利要求4所述的反相器，其特征在于，其中：該第二壓降阻抗組件包含彼此串聯(lián)的Y個(gè)二極管或以二極管形式相串聯(lián)的Y個(gè)晶體管；及

X及Y為大于1的正整數(shù)。

8.如權(quán)利要求7所述的反相器，其特征在于，其中X及Y為相同或相異的正整數(shù)。

9.如權(quán)利要求7所述的反相器，其特征在于，該反相器另包含：

一第三壓降阻抗組件，與該復(fù)數(shù)個(gè)P型晶體管中的一第一P型晶體管相并聯(lián)。

10.如權(quán)利要求9所述的反相器，其特征在于，該反相器另包含：

一第四壓降阻抗組件，與該復(fù)數(shù)個(gè)P型晶體管中的一第二P型晶體管相并聯(lián)。

11.如權(quán)利要求10所述的反相器，其特征在于，其中：

該第三壓降阻抗組件包含一電阻、彼此串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)二極管或以二極管形式相串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)晶體管；及

該第四壓降阻抗組件包含一電阻、彼此串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)二極管或以二極管形式相串聯(lián)的復(fù)數(shù)個(gè)晶體管。