[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201711144415.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN108735659A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 周友華;莊國勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8234
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種半導體裝置，包括非絕緣體結構、至少一個碳納米管(CNT)、介電層、及基于石墨烯的導電層。碳納米管是在非絕緣體結構上方。介電層圍繞納米碳管。基于石墨烯的導電層是在至少一個納米碳管上方。

技術領域

本揭露內容是關于一種半導體裝置。

背景技術

集成電路(IC)的制造已通過增加在半導體裝置中形成的集成電路的密度來驅使。這可通過實施更強力的設計規則以允許形成較大密度的集成電路裝置來達成。盡管如此，集成電路裝置諸如晶體管的增加的密度亦已增加處理具有減少特征大小的半導體裝置的復雜性。

發明內容

本揭露內容的一實施方式提供一種半導體裝置，其特征在于，包含非絕緣體結構、至少一納米碳管(CNT)、介電層以及基于石墨烯的導電層。納米碳管在非絕緣體結構上方。介電層圍繞納米碳管。基于石墨烯的導電層在至少一個納米碳管上方。

附圖說明

當結合隨附附圖閱讀時，自以下詳細描述將很好地理解本揭示內容的態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特征并非按比例繪制。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1是根據本揭示內容的一些實施例的用于制造半導體裝置的方法的流程圖；

圖2至圖18示出了根據本揭示內容的一些實施例的形成半導體裝置的方法；

圖19是根據本揭示內容的一些實施例的用于制造半導體裝置的方法的流程圖；以及

圖20至圖22示出了根據本揭示內容的一些實施例的形成半導體裝置的方法。

具體實施方式

以下揭示內容提供許多不同實施例或實例，以便實施所提供標的的不同特征。下文描述了組件及排列的特定實例以簡化本揭示。當然，這些實例僅為示例且并不意欲為限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實施例。另外，本揭示可在各實例中重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡明性及清晰的目的，且本身并不指示在各個所揭示的實施例及/或配置之間的關系。

進一步地，為了便于描述，本文可使用空間相對性術語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所示出的一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處于其他定向)且由此可類似解讀本文所使用的空間相對性描述詞。