[發(fā)明專利]一種棒狀ZnO/ZIF-8的制備及其低溫H2敏感效應(yīng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711143971.1 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN107991350A | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋曉攀;曹丙強(qiáng);潘姿羽 | 申請(專利權(quán))人: | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類號: | G01N27/12 | 分類號: | G01N27/12;C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 zno zif 制備 及其 低溫 h2 敏感 效應(yīng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米傳感器的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種原位生長在平板電極上的棒狀ZnO/ZIF-8的制備方法及其低溫H2敏感效應(yīng)。
背景技術(shù)
ZnO是一種典型的n型半導(dǎo)體材料,能帶寬度為3.7eV。一維ZnO納米結(jié)構(gòu)如納米線、納米棒和納米帶等具有高的比表面積、良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,因而被廣泛的應(yīng)用于化學(xué)敏感領(lǐng)域中。其中ZnO納米棒結(jié)構(gòu)通常是單晶結(jié)構(gòu)且表面比較光滑,具有更大的比表面積、量子尺寸效應(yīng)。隨著不斷的開發(fā)應(yīng)用人們發(fā)現(xiàn)純相的ZnO氣敏材料一般選擇性不高,主要表現(xiàn)為對多種氣體如C2H5OH、CO、TEA及H2等都具有相應(yīng)的靈敏度,這樣很難達(dá)到人們的要求。
近年來,類沸石咪挫酯骨架材料(Zeolitic Imidazolate Frameworks,ZIFs)是一類具有沸石骨架結(jié)構(gòu)的材料,這類材料結(jié)合了沸石高的穩(wěn)定性和材料的結(jié)構(gòu)多樣和性能多樣性,ZIF-8 (Zn(Hmim)2, Hmim=2-甲基咪唑) 作為最具代表性的材料受到了廣泛的關(guān)注。ZIF-8材料具有超高的孔隙率、巨大的比表面積可達(dá)1400m2/g,其孔徑尺寸僅為3.4?,具有非常明顯的篩分作用,對其應(yīng)用研究已涉及氣體吸附、分離,儲氫和催化等多個領(lǐng)域,是目前研究最為廣泛的一類ZIF材料。尤其在氣敏傳感器領(lǐng)域ZIF-8材料可有效阻隔大分子物質(zhì)篩選小分子物質(zhì),將ZIF-8材料與ZnO材料復(fù)合可有效改善ZnO材料選擇性差的問題,并能充分發(fā)揮復(fù)合材料的優(yōu)勢,在傳感器領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。
目前,Martin Drobek 等人(Drobek, Martin, et al. MOF-based membrane encapsulated ZnO nanowires for enhanced gas sensor selectivity. ACS applied materials & interfaces 8.13 (2016): 8323-8328.) 合成的ZIF-8膜包裹的ZnO納米線復(fù)合物對H2有氣敏響應(yīng),而ZIF-8/ZnO 對C7H8 (5.92 ?)、C6H6(5.27 ?)在相同條件下無響應(yīng),說明ZiIF-8確實(shí)起到了分子篩分膜的作用。但是其響應(yīng)溫度300 ℃太高,功耗較大使得實(shí)用性降低,且合成方法操作復(fù)雜、成本昂貴不適宜大批量的生產(chǎn)研究及應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
針對響應(yīng)溫度高、功能損耗大、實(shí)用性低、合成操作復(fù)雜、成本昂貴等問題,本發(fā)明提供了一種低功耗、操作簡便的具有低溫H2敏感效應(yīng)的棒狀ZnO/ZIF-8制備方法。
一種棒狀ZnO/ZIF-8的制備及其低溫H2敏感效應(yīng),有以下步驟:
1)制備ZnO籽晶層:將二水乙酸鋅加入到乙二醇甲醚中,室溫下攪拌均勻,加入乙醇胺,攪拌均勻,二水乙酸鋅、乙二醇甲醚與乙醇胺的用量比為4.4g:25ml:1.2g,靜置12h后得到溶膠,將所得溶膠旋涂在干凈的氧化鋁平板電極上,經(jīng)退火處理后,在氧化鋁平板電極上得到ZnO籽晶層;
2)制備棒狀ZnO:按摩爾比為1:1配制硝酸鋅和六次甲基四胺的水溶液,水溶液中硝酸鋅的濃度為0.02-0.04mol/L,將步驟1)中有ZnO籽晶層的氧化鋁平板電極放入,倒入高壓反應(yīng)釜中反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后用水和乙醇反復(fù)清洗,得到生長于氧化鋁平板電極上的棒狀結(jié)構(gòu)納米ZnO;
3)制備棒狀ZnO/ZIF-8:將0.16-0.26mol/L的乙酸鋅水溶液加入到1.8-2.8mol/L的2-甲基咪唑的水溶液中攪拌2-5min,得到混合溶液,放入步驟2)所得的表面具有棒狀結(jié)構(gòu)納米ZnO的氧化鋁平板電極,室溫下靜置48-50h,然后用去離子水和甲醇溶液反復(fù)清洗,得到棒狀ZnO/ZIF-8。
(4)將步驟3)的棒狀ZnO/ZIF-8及步驟2)中得到的棒狀ZnO放到氣敏測試儀中進(jìn)行氣敏性能測試,分別通入H2、C2H5OH氣體,測試通入氣體前后兩種材料的測試基片的電阻變化,從而計(jì)算氣敏反應(yīng)的靈敏度。
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