[發明專利]一種改善電流擴展的發光二極管芯片及其制作方法在審
| 申請號： | 201711143898.8 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN107958946A | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 賈釗;趙炆兼;張雙翔;楊凱;陳凱軒 | 申請（專利權）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 225101 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 電流 擴展 發光二極管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種改善電流擴展的發光二極管芯片，其特征在于，包括：
背面電極層；
位于所述背面電極層一側的襯底層；
位于所述襯底層背離所述背面電極層一側的發光外延層；
位于所述發光外延層背離所述背面電極層一側的電流擴展層；
位于所述電流擴展層背離所述背面電極層一側的金屬薄膜粗化層，所述金屬薄膜粗化層與所述電流擴展層之間歐姆接觸，且所述金屬薄膜粗化層具有一鏤空區域；
以及，位于所述電流擴展層背離所述背面電極層一側、且設置于所述鏤空區域的主電極。
2.根據權利要求1所述的改善電流擴展的發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬薄膜粗化層的厚度范圍為10埃-20埃，包括端點值。
3.根據權利要求1所述的改善電流擴展的發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬薄膜粗化層的材質為鋅、鈹、鉻中一種。
4.根據權利要求1所述的改善電流擴展的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光外延層包括：
位于所述襯底層背離所述背面電極層一側的N型半導體層；
位于所述N型半導體層背離所述背面電極層一側的發光層；
以及，位于所述發光層背離所述背面電極層一側的P型半導體層。
5.根據權利要求1所述的改善電流擴展的發光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴展層為GaP層。
6.一種改善電流擴展的發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提一襯底層，所述襯底層上依次形成有疊加的發光外延層和電流擴展層；
在所述電流擴展層背離所述襯底層一側形成金屬薄膜層，且所述金屬薄膜層具有一鏤空區域；
對所述金屬薄膜層進行合金工藝處理，形成與所述電流擴展層之間歐姆接觸的金屬薄膜粗化層；
在所述電流擴展層背離所述襯底層一側、且位于所述鏤空區域處形成主電極，及在襯底層背離所述發光外延層一側形成背面電極層。
7.根據權利要求6所述的改善電流擴展的發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述金屬薄膜粗化層的厚度范圍為10埃-20埃，包括端點值。
8.根據權利要求6所述的改善電流擴展的發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述金屬薄膜粗化層的材質為鋅、鈹、鉻中一種。
9.根據權利要求6所述的改善電流擴展的發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述發光外延層包括：
位于所述襯底層背離所述背面電極層一側的N型半導體層；
位于所述N型半導體層背離所述背面電極層一側的發光層；
以及，位于所述發光層背離所述背面電極層一側的P型半導體層。
10.根據權利要求6所述的改善電流擴展的發光二極管芯片制作方法，其特征在于，所述電流擴展層為GaP層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州乾照光電有限公司，未經揚州乾照光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711143898.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
