[發(fā)明專利]一種背光模組及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711143564.0 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN108019660A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張旭輝;文喜平;張志睿;高上 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島海信電器股份有限公司 |
| 主分類號： | F21S8/00 | 分類號： | F21S8/00;F21V9/20;F21V9/40;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 青島聯(lián)智專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37101 | 代理人： | 邵新華 |
| 地址： | 266100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 背光 模組 顯示裝置 | ||
1.一種背光模組，所述背光模組包括發(fā)光裝置，其特征在于：所述發(fā)光裝置包括發(fā)光芯片和包含熒光粉的封裝膠層，所述封裝膠層設(shè)置于所述發(fā)光芯片上，所述封裝膠層上設(shè)置有光子晶體，所述光子晶體在紅光或綠光波長范圍內(nèi)具有帶隙。
2.如權(quán)利要求1所述的背光模組，其特征在于：所述光子晶體包括周期性排布的六角形圓洞或圓柱結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的背光模組，其特征在于：所述周期性排布為在水平方向上的周期性排布。
4.如權(quán)利要求1所述的背光模組，其特征在于：所述光子晶體通過納米壓印、光刻技術(shù)或反應(yīng)離子束刻蝕方法制備。
5.如權(quán)利要求2所述的背光模組，其特征在于：所述光子晶體的間距為50-500nm，所述孔洞或圓柱的直徑為10-500nm。
6.如權(quán)利要求5所述的背光模組，其特征在于：所述光子晶體的間距為220nm，所述孔洞的直徑為170nm。
7.如權(quán)利要求1所述的背光模組，其特征在于：所述封裝膠層包括靠近所述發(fā)光芯片的熒光粉層和位于所述熒光粉層上的膠體層，所述光子晶體形成于所述膠體層。
8.如權(quán)利要求1所述的背光模組，其特征在于：所述發(fā)光芯片為藍(lán)光芯片、紫外芯片中的一種。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項所述的背光模組。
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