[發(fā)明專利]用于熔絲驗(yàn)證的基于Simon的散列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711143368.3
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN108228960A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·考爾;S·K·馬修;M·A·安德斯;J·沃克;J·G·山德里
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 何焜;黃嵩泉

本申請公開了用于熔絲驗(yàn)證的基于Simon的散列。描述了用于驗(yàn)證的基于Simon的散列的指令和邏輯。在一個實(shí)施例中，處理器包括：存儲器，該存儲器用于存儲多個值；以及散列電路，包括：Simon密碼電路，能操作以接收來自存儲器的多個值、應(yīng)用Simon密碼以及為多個值中的每一個生成輸出；以及電路，耦合到Simon密碼電路，用于將來自Simon密碼電路的多個值中的每個值的輸出組合為散列摘要，該散列摘要指示存儲器中的值是否是有效的。

發(fā)明領(lǐng)域

本公開涉及處理邏輯、微處理器以及相關(guān)聯(lián)的指令集架構(gòu)領(lǐng)域，當(dāng)由處理器或其他處理邏輯執(zhí)行該指令集架構(gòu)時，該指令集架構(gòu)執(zhí)行邏輯、數(shù)學(xué)或其他功能性操作。

相關(guān)技術(shù)的描述

集成電路在過去幾年內(nèi)發(fā)展得十分復(fù)雜。這些設(shè)備中的許多設(shè)備使用存儲在熔絲陣列中的熔絲值來配置。熔絲值可用于啟用或禁用設(shè)備上的功能或者可以包括在設(shè)備上使用的信息，諸如例如，加密密鑰。熔絲值最初被編程到熔絲陣列中。在編程之后，被編程的熔絲值經(jīng)歷驗(yàn)證以確保它們被正確地編程。在大批量制造(HVM)測試期間對秘密熔絲值的驗(yàn)證要求讀取熔絲而不損壞它們的機(jī)密性的能力。例如，已經(jīng)被燒制到熔絲中的加密密鑰在HVM期間需要被驗(yàn)證而不明顯地暴露存儲的密鑰。該問題的常規(guī)解決方案會使用管芯上的電路計(jì)算熔絲位的散列，并且讀取來自芯片的該散列值以用于熔絲驗(yàn)證。因?yàn)樯⒘惺菃蜗蚬δ埽虼怂鼈冊试S在不暴露原始熔絲值的情況下的熔絲驗(yàn)證。然而，常規(guī)的散列電路(諸如SHA-256)占據(jù)相當(dāng)大的管芯面積，這對于僅在測試時或在對消費(fèi)者退回的失效零件的調(diào)試期間操作的一次性使用的電路是不合理的。

附圖說明

在附圖中的諸個圖中通過示例而非限制地示出各個實(shí)施例：

圖1A是根據(jù)一個實(shí)施例的系統(tǒng)的框圖；

圖1B是根據(jù)一個實(shí)施例的系統(tǒng)的框圖；

圖1C是根據(jù)一個實(shí)施例的系統(tǒng)的框圖；

圖2是根據(jù)一個實(shí)施例的處理器的框圖；

圖3A示出根據(jù)一個實(shí)施例的緊縮數(shù)據(jù)類型；

圖3B示出根據(jù)一個實(shí)施例的緊縮數(shù)據(jù)類型；

圖3C示出根據(jù)一個實(shí)施例的緊縮數(shù)據(jù)類型；

圖3D示出根據(jù)一個實(shí)施例的指令編碼；

圖3E示出根據(jù)一個實(shí)施例的指令編碼；

圖3F示出根據(jù)一個實(shí)施例的指令編碼；

圖4A示出根據(jù)一個實(shí)施例的處理器微架構(gòu)的要素；

圖4B示出根據(jù)一個實(shí)施例的處理器微架構(gòu)的要素；

圖5是根據(jù)一個實(shí)施例的處理器的框圖；

圖6是根據(jù)一個實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；

圖7是根據(jù)一個實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；

圖8是根據(jù)一個實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；

圖9是根據(jù)一個實(shí)施例的芯片上系統(tǒng)的框圖；

圖10是根據(jù)一個實(shí)施例的處理器的框圖；

圖11是根據(jù)一個實(shí)施例的IP核開發(fā)系統(tǒng)的框圖；

圖12示出根據(jù)一個實(shí)施例的架構(gòu)仿真系統(tǒng)。

圖13示出根據(jù)一個實(shí)施例的用于轉(zhuǎn)換指令的系統(tǒng)。

圖14是大批量制造(HVM)熔絲驗(yàn)證微架構(gòu)的一個實(shí)施例。

圖15示出根據(jù)一個實(shí)施例的依賴熔絲數(shù)據(jù)尺寸的前綴和填補(bǔ)。

圖16示出32b/64b的基于Simon的熔絲散列電路的一個實(shí)施例。