[發(fā)明專利]SiC晶片的生成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711143027.6 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN108145307B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 平田和也 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | B23K26/00 | 分類號： | B23K26/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 晶片 生成 方法 | ||
1.一種SiC晶片的生成方法，其從單晶SiC晶錠生成SiC晶片，該單晶SiC晶錠具有c軸和與該c軸垂直的c面，
該SiC晶片的生成方法具備下述工序：
改質(zhì)部形成工序，將對于單晶SiC具有透過性的波長的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)定位在距離單晶SiC晶錠的端面相當(dāng)于要生成的SiC晶片的厚度的深度，對單晶SiC晶錠照射脈沖激光光線，在c面上形成SiC分離成Si和C的改質(zhì)部；
剝離層形成工序，連續(xù)地形成該改質(zhì)部，從該改質(zhì)部起在c面各向同性地形成裂紋，形成用于從單晶SiC晶錠將SiC晶片剝離的剝離層；和
SiC晶片生成工序，以該剝離層為界面將單晶SiC晶錠的一部分剝離而生成SiC晶片，
在該剝離層形成工序中，將該改質(zhì)部的直徑設(shè)為D，將相鄰的聚光點(diǎn)的間隔設(shè)為L時，在具有DL的關(guān)系的區(qū)域形成裂紋，在不超過裂紋的寬度的范圍對單晶SiC晶錠和聚光點(diǎn)相對地進(jìn)行轉(zhuǎn)位進(jìn)給而連續(xù)地形成改質(zhì)部，使裂紋與裂紋連結(jié)，形成該剝離層，其中，具有0.75DL0.1D的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在該剝離層形成工序中照射的脈沖激光光線的能量為9μJ以上。
3.如權(quán)利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在該剝離層形成工序中，將聚光點(diǎn)定位在相同的c面上，連續(xù)地形成該改質(zhì)部。
4.如權(quán)利要求3所述的SiC晶片的生成方法，其中，在c軸相對于單晶SiC晶錠的端面的垂線傾斜的情況下，在該剝離層形成工序中，
在與通過c面和端面形成偏離角的第2方向垂直的第1方向上連續(xù)地形成該改質(zhì)部，從改質(zhì)部起各向同性地形成裂紋，在該第2方向上在不超過裂紋的寬度的范圍對單晶SiC晶錠和聚光點(diǎn)相對地進(jìn)行轉(zhuǎn)位進(jìn)給，在該第1方向連續(xù)地形成改質(zhì)部，從改質(zhì)部起各向同性地依次形成裂紋。
5.如權(quán)利要求3所述的SiC晶片的生成方法，其中，在單晶SiC晶錠的端面的垂線與c軸一致的情況下，在該剝離層形成工序中，
在不超過從連續(xù)形成的改質(zhì)部起各向同性地形成的裂紋的寬度的范圍，對單晶SiC晶錠和聚光點(diǎn)相對地進(jìn)行轉(zhuǎn)位進(jìn)給，連續(xù)地形成改質(zhì)部，使裂紋與裂紋連結(jié)。
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