[發明專利]一種PIN型InGaAs紅外探測器臺面的腐蝕方法

有效

• 申請號: 201711142669.4
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN107749435B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 黃寓洋
• 申請（專利權）人: 蘇州蘇納光電有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/105
• 代理公司: 南京艾普利德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32297
• 代理人: 陸明耀

1.一種PIN型InGaAs紅外探測器臺面的腐蝕方法，其特征在于，包括：

對預腐蝕件進行光刻，制備出腐蝕圖形；

分別提供第一腐蝕液和第二腐蝕液，所述第一腐蝕液在20~30℃的腐蝕速率為0.98~1.08μm/min；所述第二腐蝕液在20~30℃的腐蝕速率450nm/min；

利用第一腐蝕液對InGaAs探測器按照所述腐蝕圖形進行第一次腐蝕，第一次腐蝕完成后，清洗，干燥；

利用第二腐蝕液對所述第一次腐蝕完成后的探測器進行第二次腐蝕，腐蝕出所述腐蝕圖形，得到預設的腐蝕圖形的探測器；

所述第一腐蝕液為溴素-H₂O₂-H₂O混合腐蝕液；所述第二腐蝕液為H₃PO₄-H₂O₂-H₂O；

所述第一次腐蝕按照所述腐蝕圖形腐蝕掉探測器的InGaAs接觸層、InGaAsP蝕刻阻擋層、InP次集結層，InGaAsP集結層、InGaAs隔離層至InGaAs吸收層；

所述第二次腐蝕腐蝕掉全部InGaAs吸收層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一腐蝕液中溴素、雙氧水和水的比例為1：2：（10~15）。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二腐蝕液中磷酸、水和雙氧水的比例為1：2：（15~25）。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二次腐蝕后，還包括用臺階檢測儀檢測第二次腐蝕后的探測器臺面的高度。