[發明專利]電平位移器以及半導體元件

有效

• 申請號: 201711142471.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN108364944B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 艾姆·迪伊姆·斯迪奇;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;郭曉宇

1.一種電平位移器，其特征在于，位于高電位電路區與低電位電路區之間且包括：

基底；

埋入島區，具有第一導電型且埋于所述基底中；

隔離結構，具有第二導電型、位于所述基底中且圍繞所述埋入島區，其中所述隔離結構靠近所述高電位電路區處的尺寸不同于所述隔離結構靠近所述低電位電路區處的尺寸；以及

具有所述第一導電型的摻雜區，其位于所述埋入島區與所述低電位電路區之間的所述基底中，且被所述隔離結構圍繞。

2.如權利要求1所述的電平位移器，其特征在于，所述尺寸包括長度、寬度或兩者。

3.如權利要求1所述的電平位移器，其特征在于，所述隔離結構的寬度隨著遠離所述高電位電路區而逐漸地減少或階梯式減少。

4.如權利要求3所述的電平位移器，其特征在于，所述隔離結構的摻雜深度隨著遠離所述高電位電路區而逐漸地減少。

5.如權利要求1所述的電平位移器，其特征在于，所述隔離結構為塊狀隔離摻雜區。

6.一種半導體元件，其特征在于，包括：

基底，具有高電位電路區、終端區以及低電位電路區，其中所述低電位電路區環繞所述高電位電路區，且所述終端區位于所述高電位電路區與所述低電位電路區之間；

高電位電路，位于所述高電位電路區中且包括埋入層，所述埋入層具有第一導電型且埋于所述基底中；以及

電平位移器，位于所述終端區中且包括：

埋入島區，具有所述第一導電型且埋于所述基底中；

隔離結構，具有第二導電型、位于所述基底中且圍繞所述埋入島區，其中所述隔離結構靠近所述高電位電路區處的尺寸不同于所述隔離結構靠近所述低電位電路區處的尺寸，

其中所述埋入層的凹面對應于所述埋入島區的凸面，且所述隔離結構位于所述埋入層與所述埋入島區之間；以及

具有所述第一導電型的摻雜區，其位于所述埋入島區與所述低電位電路區之間的所述基底中，且被所述隔離結構圍繞。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，所述高電位電路區為一上橋電路區，所述低電位電路區為一下橋電路區。

8.如權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，所述隔離結構具有：

第一隔離摻雜區，與所述高電位電路區相鄰且完全位于所述埋入層與所述埋入島區之間；

第二隔離摻雜區，與第一隔離摻雜區相鄰且部分位于所述埋入層與所述埋入島區之間；以及

第三隔離摻雜區，與第二隔離摻雜區以及所述低電位電路區相鄰。

9.一種電平位移器，其特征在于，位于高電位電路區與低電位電路區之間且包括：

基底；

埋入島區，具有第一導電型且位于所述基底中；

隔離結構，具有第二導電型、位于所述基底中且圍繞所述埋入島區，其中所述隔離結構的寬度相同，但所述隔離結構靠近所述高電位電路區處的摻雜濃度不同于所述隔離結構靠近所述低電位電路區處的摻雜濃度；以及

具有所述第一導電型的摻雜區，其位于所述埋入島區與所述低電位電路區之間的所述基底中，且被所述隔離結構圍繞。