[發(fā)明專利]一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711140523.6
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN107799531B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 嚴(yán)萍;高晶;楊川;喻蘭芳;丁蕾;張森;張靜平
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/115
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達(dá)

1.一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是，包含以下步驟：

在硅基板上形成氧化物/氮化物等級層堆棧，繼而形成垂直貫穿所述氧化物/氮化物等級層堆棧的柵極線狹縫；

去除氧化物/氮化物等級層堆棧中的氮化物層，形成凹陷區(qū)域；

使用氫氟酸回蝕所述凹陷區(qū)域，使得所述氧化物/氮化物等級層堆棧中的氧化物層表面平坦化；

使用導(dǎo)體材料填充所述凹陷區(qū)域，形成導(dǎo)體層并刻蝕所述導(dǎo)體層，形成導(dǎo)體/絕緣體等級層堆棧。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

所述氮化物層由氮化硅形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

使用干法/濕法刻蝕形成所述柵極線狹縫和所述凹陷區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

使用磷酸去除氧化物/氮化物等級層堆棧中的氮化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

所述氫氟酸的濃度為HF：H₂O＝1:500，所述回蝕時間為1到5分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

所述導(dǎo)體材料包括鎢、鈷、銅、鋁和硅化物中的一種或幾種的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

使用薄膜沉積工藝完成所述填充過程和/或形成氧化物/氮化物等級層堆棧。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

所述薄膜沉積工藝包括化學(xué)氣相沉積法(CVD)、物理氣相沉積法(PVD)、原子層沉積法(ALD)中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種3D NAND存儲器等級層堆棧制造方法，其特征是：

所述氧化物/氮化物等級層堆棧上還形成有絕緣層，所述柵極線狹縫垂直貫穿氧化物/氮化物等級層堆棧和絕緣層。

10.一種3D NAND存儲器，其特征在于，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-9任意一項所述方法制造的導(dǎo)體/絕緣體等級層堆棧。