[發(fā)明專利]一種在高深寬比溝道孔刻蝕中保護(hù)側(cè)壁的工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711140438.X
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107994026B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方振;王猛;劉隆冬;蘇恒;朱喜峰;陳保友;戴紹龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種高深寬比溝道孔刻蝕中保護(hù)側(cè)壁的工藝，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述襯底堆疊結(jié)構(gòu)上面刻蝕形成溝道孔；

在所述溝道孔中沉積填充形成溝道孔側(cè)壁堆疊結(jié)構(gòu)功能薄膜；

在所述側(cè)壁堆疊結(jié)構(gòu)的表面沉積保護(hù)膜，且使得所述保護(hù)膜在溝道孔頂部的厚度比溝道孔底部的厚度大；

所述保護(hù)膜的厚度從頂部到底部逐漸過(guò)渡使得在溝道孔縱向截面單側(cè)的保護(hù)膜呈倒錐形。

2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)側(cè)壁的工藝，其特征在于，控制沉積工藝，使得所述保護(hù)膜在溝道孔頂部的厚度至溝道孔底部的厚度在經(jīng)干法刻蝕后的剩余保護(hù)膜的厚度基本相等。

3.如權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)側(cè)壁的工藝，其特征在于，所述襯底堆疊結(jié)構(gòu)包括襯底表面形成的相互間隔開(kāi)的氧化硅-氮化硅堆疊薄膜(O/N)以及上面的硬掩膜(HM)。

4.如權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)側(cè)壁的工藝，其特征在于，所述溝道孔側(cè)壁堆疊結(jié)構(gòu)功能薄膜包括用作阻擋層、存儲(chǔ)層和隧穿層的氧化物-氮化物-氧化物結(jié)構(gòu)(ONO)。