[發(fā)明專利]一種無(wú)毛刺的光刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711140134.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN107664926B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王世偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F7/30
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;張巨箭

1.一種無(wú)毛刺的光刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)處理后在晶圓上涂覆一層負(fù)型光刻膠，通過光刻版對(duì)負(fù)型光刻膠進(jìn)行選擇性曝光，光刻機(jī)曝光劑量為100mj-150mj，焦距偏差值小于1μm；

S2、對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第一次旋覆浸沒式顯影，顯影時(shí)間為40-60s；

S3、在步驟S2后對(duì)晶圓進(jìn)行第二次旋覆浸沒式顯影，顯影時(shí)間為40-60s,顯影后的光刻膠形成上寬下窄且下層向內(nèi)凹陷的圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

S11、對(duì)晶圓進(jìn)行預(yù)處理，清潔晶圓表面并去除晶圓表面的水汽；

S12、在晶圓上旋涂一層負(fù)型光刻膠，并對(duì)光刻膠進(jìn)行軟烘；

S13、通過光刻版對(duì)負(fù)型光刻膠進(jìn)行選擇性曝光；

S14、對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行后烘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無(wú)毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步驟S3之后還包括步驟S4：在步驟S3后對(duì)晶圓進(jìn)行第三次旋覆浸沒式顯影，顯影時(shí)間為40-60s。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無(wú)毛刺的光刻方法，其特征在于，所述步驟S4后還包括：

S5、采用清洗液對(duì)顯影后的晶圓進(jìn)行清洗；

S6、對(duì)清洗后的晶圓進(jìn)行硬烘。