[發明專利]一種單片集成半導體隨機激光器有效
| 申請號： | 201711139130.3 | 申請日： | 2017-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN107809058B | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發明（設計）人： | 張明江;張建忠;呂天爽;喬麗君;劉毅;趙彤;王安幫;王云才 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源;曹一杰 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單片 集成 半導體 隨機 激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種單片集成半導體隨機激光器，其特征在于，包括：
一襯底；
一下限制層，其制作在襯底上；
一有源層，其制作在下限制層上；
一上限制層，其制作在有源層上；
一波導層，為條狀，其縱向制作在上限制層上面的中間；
一P+電極層，其是用隔離溝將其分為兩段，制作在波導層上；
一N+電極層，其制作在下限制層的背面；
其中，分為兩段的P+電極層分別對應于增益區和隨機反饋區，該隨機反饋區對應的有源層部分引入摻雜波導。
2.根據權利要求1所述的一種單片集成半導體隨機激光器，其特征在于，其中所述的增益區為整個芯片提供增益，增益區對應的有源層部分為多量子阱材料；增益區的長度為300±50μm。
3.根據權利要求1所述的一種單片集成半導體隨機激光器，其特征在于，其中所述的隨機反饋區對增益區發出的光進行隨機反饋，隨機反饋區對應的有源層部分為體材料；該隨機反饋區對應的有源層部分引入摻雜；隨機反饋區的長度為300±50μm。
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