[發明專利]三維存儲器字線電阻的測量方法

有效

• 申請號: 201711138083.0
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN107993948B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 盧勤;張順勇;湯光敏;高慧敏
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R27/02
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種三維存儲器字線電阻的測量方法，其特征在于，包括：

提供三維存儲器樣品，所述樣品的陣列區無通孔；

研磨三維存儲器樣品的金屬層至露出溝道孔插塞；

研磨三維存儲器樣品的第一臺階區至露出所述第一臺階區的所有字線，并沉積金屬將露出的所有字線進行連接；所述字線的數量為3個；

在三維存儲器樣品的第二臺階區測量相鄰兩個字線的電阻和，以及第一個字線與最后一個字線的電阻和；

根據測量的電阻和計算每個字線的電阻。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨三維存儲器樣品的金屬層至露出溝道孔插塞，具體為：采用化學機械研磨工藝沿第一方向研磨三維存儲器樣品的金屬層至露出溝道孔插塞。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨三維存儲器樣品的第一臺階區至露出所述第一臺階區的所有字線，具體為：采用化學機械研磨工藝沿第二方向研磨三維存儲器樣品的第一臺階區至露出所述第一臺階區的所有字線。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積金屬將露出的所有字線進行連接，具體為：采用聚焦離子束沉積鎢將露出的所有字線進行連接。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用納米探針在三維存儲器樣品的第二臺階區測量相鄰兩個字線的電阻和，以及第一個字線與最后一個字線的電阻和。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，將所述納米探針的兩個探針分別接觸所述第二臺階區中相鄰兩個字線對應的接觸孔，以測量相鄰兩個字線的電阻和；并將所述納米探針的兩個探針分別接觸第二臺階區中第一個字線與最后一個字線對應的接觸孔，以測量第一個字線與最后一個字線的電阻和。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述字線的數量為N，根據測量的電阻和得到由N個二元一次方程構成的方程組，求方程組的解得到每個字線的電阻。