[發(fā)明專利]一種微顯示器件修補(bǔ)方法及微顯示器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711137764.5 | 申請日: | 2017-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107910289B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 牛小龍;翁守正;徐相英;孫龍洋;姜曉飛 | 申請(專利權(quán))人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京太合九思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11610 | 代理人: | 劉戈 |
| 地址: | 261031 山東省濰坊*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 器件 修補(bǔ) 方法 | ||
1.一種微顯示器件修補(bǔ)方法,其特征在于,包括:
在剝離襯底后的TFT背板上覆蓋倒模層并壓實(shí),以在所述倒模層上形成與所述TFT背板上缺失LED顆粒對應(yīng)的若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu);
將帶有所述若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)的所述倒模層從所述TFT背板上剝離下來并倒置于所述襯底上;
去除所述若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)倒置形成的凸起結(jié)構(gòu),以使所述若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的襯底位置裸露;
在裸露的所述襯底位置上生長LED顆粒,以獲得修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu);
去除所述修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu)上的所述倒模層,并將所述修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu)與所述TFT背板重新鍵合,以獲得修補(bǔ)后的TFT背板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在剝離襯底后的TFT背板上覆蓋倒模層,包括:
在剝離襯底后的TFT背板上均勻覆蓋對LED顆粒沒有粘性的倒模層材料;
當(dāng)所述倒模層材料的覆蓋厚度達(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí),對所述倒模層材料進(jìn)行固化處理,以形成所述倒模層;
其中,所述倒模層在所述TFT背板上缺失LED顆粒的位置形成凹陷結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)厚度等于LED顆粒的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述剝離襯底后的TFT背板上均勻覆蓋倒模層材料,包括:
在所述剝離襯底后的TFT背板上均勻噴涂所述倒模層材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述倒模層材料為可塑性材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述對所述倒模層材料進(jìn)行固化處理,包括采用以下任一種固化處理方式:
將所述倒模層置于包含有固化劑的氣體環(huán)境中進(jìn)行固化處理;
將所述倒模層至于紫外光環(huán)境下進(jìn)行固化處理;
對所述倒模層進(jìn)行加熱以進(jìn)行固化處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)倒置形成的凸起結(jié)構(gòu),以使若干個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的襯底位置裸露,包括:
將所述若干個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)倒置形成的凸起結(jié)構(gòu)刻蝕掉,以使若干個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)的襯底位置裸露。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在裸露的所述襯底位置上生長LED顆粒,以獲得修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu),包括:
將去除所述凸起結(jié)構(gòu)的倒模層以及裸露的所述襯底位置對應(yīng)的區(qū)域設(shè)置為噴涂區(qū)域;
在所述噴涂區(qū)域內(nèi)均勻噴涂LED生長材料;
當(dāng)達(dá)到LED的預(yù)設(shè)生長時(shí)間時(shí),去除未生長的LED生長材料,以獲得修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu)上的所述倒模層,包括:
根據(jù)所述倒模層的材質(zhì)和LED顆粒的材質(zhì)確定激光參數(shù);
根據(jù)所述激光參數(shù),采用激光清洗掉所述修補(bǔ)用襯底結(jié)構(gòu)上的所述倒模層。
10.一種采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的修補(bǔ)方法獲得的微顯示器件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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