[發(fā)明專利]一種單芯片半橋IGBT功率模塊的熱網(wǎng)絡(luò)模型

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711136172.1
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN107818952A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王學(xué)梅;袁訊;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L23/10
• 分類號(hào): H01L23/10;H01L23/367
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種單芯片半橋IGBT功率模塊的熱網(wǎng)絡(luò)模型，其特征在于：包括表示IGBT芯片到基板間的熱阻即IGBT結(jié)-殼熱阻（1）、表示IGBT對(duì)應(yīng)位置的基板到散熱器間的熱阻即IGBT殼-散熱器熱阻（2）、表示Diode芯片到基板間的熱阻即Diode結(jié)-殼熱阻（3），表示Diode對(duì)應(yīng)位置的基板到散熱器間的熱阻即Diode殼-散熱器熱阻（4），表示單個(gè)橋臂對(duì)應(yīng)位置的基板到散熱器間的熱阻即單個(gè)橋臂的散熱器-環(huán)境熱阻（5），表示上橋臂IGBT功率損耗的電流源（12）、表示下橋臂IGBT功率損耗的電流源（15），表示上橋臂Diode的功率損耗的電流源（13）、表示下橋臂Diode的功率損耗的電流源（14），表示環(huán)境溫度的電壓源（16），上下橋臂各芯片的結(jié)-殼熱阻與殼-散熱器熱阻以及表示上橋臂各芯片功率損耗的電流源串聯(lián)后相并聯(lián)，然后再與散熱器-環(huán)境熱阻、表示環(huán)境溫度的電壓源相串聯(lián)；表示單個(gè)橋臂內(nèi)的IGBT與Diode的殼溫的電壓節(jié)點(diǎn)之間存在耦合熱阻支路，表示上下橋臂Diode殼溫的電壓節(jié)點(diǎn)之間存在耦合熱阻（8），表示上下橋臂對(duì)應(yīng)的散熱器溫度的電壓節(jié)點(diǎn)之間存在耦合熱阻（9），熱網(wǎng)絡(luò)模型中的上下橋臂完全對(duì)稱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片半橋IGBT功率模塊的熱網(wǎng)絡(luò)模型，其特征在于單個(gè)橋臂內(nèi)的IGBT與Diode的殼溫節(jié)點(diǎn)之間存在的耦合熱阻支路由熱阻（6）串聯(lián)理想二極管（10）支路以及熱阻（7）串聯(lián)理想二極管（11）支路組成。