[發明專利]一種內嵌低觸發電壓PNP結構的雙向ESD防護結構

在審

• 申請號: 201711136014.6
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN107731814A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 任艦;蘇麗娜;李文佳
• 申請（專利權）人: 淮陰師范學院
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙)11562
• 代理人: 宋平

1.一種內嵌低觸發電壓PNP結構的雙向ESD防護結構，用于IC片上ESD防護器件；主要包括P襯底（101）、第一N阱（102）、P阱（103）、第二N阱（104）、第一N+注入區（105）、第一P+注入區（106）、第一P+跨橋（107）、第二P+注入區（108）、第二P+跨橋（109）、第二P+注入區（110）、第二N+注入區（111）、第一場氧隔離區（112）、第二場氧隔離區（113）、第三場氧隔離區（114）、第四場隔離區（115）、第五場氧隔離區（116）、第六場氧隔離區（117）、第七場氧隔離區（118）、第八場氧隔離區（119）、金屬陽極和金屬陰極；其特征在于：包括內嵌PNP結構和SCR結構；所述的內嵌PNP結構由第一P+注入區(106)、第一N阱(102)、第一P+跨橋(107)、P阱(103)和第二P+注入區(108)構成；所述的SCR結構由第一P+注入區（107）、第一N阱（102）、P阱（103）、第二N阱（104）、第二N+注入區（111）構成；所述第二P+注入區(108)始終與電極GND相連；

所述P型襯底(101)的表面區域從左到右依次設有所述第一N阱(102)、所述P阱(103)和所述第二N阱(104)；

在所述第一N阱(102)的表面區域從左到右依次設有所述第一場氧隔離區(112)、所述第一N+注入區(105)、所述第二場氧隔離區(113)、所述第一P+注入區(106)、所述第三場氧隔離區(114)和所述第一P+跨橋(107)；

所述第一場氧隔離區(112)的左側與所述第一N阱(102)的左側邊緣相連，所述第一場氧隔離區(112)的右側與所述第一N+注入區(105)的左側直接相連，所述第一N+注入區(105)的右側與所述第二場氧隔離區(113)的左側相連，所述第二場氧隔離區(113)的右側與所述第一P+注入區(106)的左側相連，所述第一P+注入區(106)的右側與所述第三場氧隔離區(114)的左側相連，所述第三場氧隔離區(114)的右側與所述第一P+跨橋(107)的左側相連，所述第一P+跨橋(107)橫跨在所述第一N阱(102)和所述P阱(103)之間；

在所述P阱(103)的表面區域從左到右依次設有所述第四場氧隔離區(115)、所述第二P+注入區(108)和所述第五場氧隔離區(116)；所述第四場氧隔離區(115)的左側有所述第一P+跨橋(107)的右側相連，所述第四場氧隔離區(115)的右側與所述第二P+注入區(108)的左側相連，所述第二場氧隔離區(108)的右側與所述第五場氧隔離區(116)的左側相連；

所述第二N阱(104)的表面區域從左到右依次設有所述第二P+跨橋(109)、所述第六場氧隔離區(117)、所述第三P+注入區(110)、所述第七場氧隔離區(118)、所述第二N+注入區(111)和所述第八場氧隔離區(119)；

所述第二P+跨橋(109)橫跨在所述P阱(103)和所述第二N阱(104)之間，所述第二P+跨橋(109)的左側與所述第五場氧隔離區(116)的右側相連，所述第二P+跨橋(109)的右側與所述第六場氧隔離區(117)的左側相連，所述第六場氧隔離區(117)的右側與所述第三P+注入區(110)的左側相連，所述第三P+注入區(110)的右側與所述第七場氧隔離區(118)的左側相連，所述第七場氧隔離區(118)的右側與所述第三N+注入區(111)的左側相連，所述第三N+注入區(111)的右側與所述第八場氧隔離區(119)的左側相連，所述第八場氧隔離區(119)的右側與所述第二N阱(104)的右側邊緣相連。

2.如權利要求1所述的一種內嵌低觸發電壓PNP結構的雙向ESD防護結構，其特征在于：所述的金屬包括第一金屬(120)、第二金屬(121)、第三金屬(122)、第四金屬(123)、第五金屬(124)。