[發明專利]光穿透輻射元件在審
| 申請號: | 201711133913.0 | 申請日: | 2017-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN109802229A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 吳宏偉;洪政源;葉昌鑫 | 申請(專利權)人: | 吳宏偉 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/36 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;周勇 |
| 地址: | 中國臺灣臺南市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻信號 透明導電膜 輻射元件 穿透 輻射結構 基板 天線 無線通訊產品 電壓駐波 光穿透度 基板電性 結構配置 頻率位置 頻率響應 耦合 光波長 電阻 可用 模態 相異 諧波 返回 轉換 | ||
1.一種光穿透輻射元件,其特征在于,包含:
基板;
至少一個透明導電膜結構,配置于所述基板的至少一個表面,所述至少一個透明導電膜結構的電阻值小于0.1mΩ,且所述至少一個透明導電膜結構在光波長為440納米處的光穿透度大于50%;以及
輻射結構,用以產生第一射頻信號,所述第一射頻信號通過所述基板電性耦合于所述至少一個透明導電膜結構,借以產生第二射頻信號,所述第一射頻信號與所述第二射頻信號的頻率位置、返回損失、電壓駐波比及諧波模態均為相異。
2.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述至少一個透明導電膜結構的厚度介于0.5微米與5微米之間。
3.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述至少一個透明導電膜結構的電阻率為能調整的,其電阻值介于0.01mΩ與0.1mΩ之間。
4.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述基板的材質為玻璃、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、環烯烴共聚物或透明陶瓷材料。
5.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述至少一個透明導電膜結構是步階式阻抗共振器、環形共振器、片型共振器、四分之一波長共振器、二分之一波長共振器或槽孔式共振器。
6.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述輻射結構是單極天線、偶極天線、槽孔天線、回圈天線、螺線天線、倒F型天線、平板天線、八木天線或陣列天線。
7.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述至少一個透明導電膜結構包含第一透明導電膜結構及第二透明導電膜結構,所述第一透明導電膜結構與所述第二透明導電膜結構配置于所述基板的相對兩表面上。
8.如權利要求7所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述第一透明導電膜結構與所述第二透明導電膜結構的透光度及電阻率均為相異。
9.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述第二射頻信號與所述第一射頻信號的頻率差異介于0.1MHz與10GHz之間,且所述第二射頻信號與所述第一射頻信號的返回損失差異介于5dB與30dB之間。
10.如權利要求1所述的光穿透輻射元件,其特征在于,所述透明導電膜材料包含金納米線、鎳銅納米線、銀納米線、鎳鐵納米線、鈷納米線、銅納米線、鉛納米線、鎳納米線或納米碳管。
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