[發明專利]基于陽極技術的DLC鍍膜方法

有效

• 申請號: 201711133112.4
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN107779839B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 黃志宏;王向紅;郎文昌;高斌
• 申請（專利權）人: 溫州職業技術學院
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/02;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種基于陽極技術的DLC鍍膜方法，采用DLC鍍膜裝置進行鍍膜，其特征是，至少包括：

步驟1，采用等離子刻蝕法對基材進行清洗，具體為：

在惰性氣氛下，以旋轉磁控靶為陽極、旋轉電弧靶為陰極進行電弧放電，產生等離子體；以基材為陰極、旋轉磁控靶為陽極對基材施加偏壓，對基材進行等離子刻蝕清洗；

步驟2，采用磁控濺射法在基材上沉積金屬過渡層，具體為：

在惰性氣氛下，以旋轉磁控靶為陰極、旋轉電弧靶為陽極進行磁控濺射；以旋轉電弧靶為陽極、工件為陰極施加偏壓，在基材上沉積金屬過渡層；

步驟3，采用PaCVD法在金屬過渡層上沉積DLC層，具體為：

通入碳氫類原料氣體，以旋轉電弧靶為陽極、工件為陰極施加偏壓，采用PaCVD法在金屬過渡層上沉積DLC層；

所述DLC鍍膜裝置包括真空腔、旋轉工件架、旋轉電弧靶、旋轉磁控靶、進氣系統、抽真空系統、加熱系統和電源系統，所述真空腔接地，所述電源系統包括磁控濺射電源、電弧電源、偏壓電源、第一接觸器、第二接觸器、第三接觸器和第四接觸器；其中：偏壓電源的陰極連接旋轉工件架上工件，通過第一接觸器連接偏壓電源的陽極和旋轉電弧靶，通過第二接觸器連接偏壓電源的陽極和旋轉磁控靶；磁控濺射電源的陰極連接旋轉磁控靶，通過第三接觸器連接磁控濺射電源的陽極和旋轉電弧靶；電弧電源的陰極連接旋轉電弧靶，通過第四接觸器連接電弧電源的陽極和旋轉磁控靶；

步驟1中對基材進行清洗時，連通第二接觸器和第四接觸器，斷開第一接觸器和第三接觸器；步驟2中在基材上沉積金屬過渡層時，連通第一接觸器和第三接觸器，斷開第二接觸器和第四接觸器；步驟3中在金屬過渡層上沉積DLC層時，連通第一接觸器，斷開第二接觸器、第三接觸器和第四接觸器。

2.如權利要求1所述的基于陽極技術的DLC鍍膜方法，其特征是：

步驟2中，所述在基材上沉積金屬過渡層，進一步包括：

在惰性氣氛下，在基材上沉積金屬層；

在惰性氣氛下，通入碳氫類原料氣體，在金屬層上逐一沉積金屬-碳化金屬的梯度層、碳化金屬層；

金屬層、金屬-碳化金屬的梯度層、碳化金屬層構成金屬過渡層。