[發(fā)明專利]內(nèi)存訪問方法、交換芯片、內(nèi)存模組及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711132919.6
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN109783395B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牛功彪;郭青松
• 申請（專利權(quán)）人: 阿里巴巴集團控股有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 北京太合九思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11610
• 代理人: 劉戈

本申請實施例提供一種內(nèi)存訪問方法、交換芯片、內(nèi)存模組及電子設(shè)備。在本申請實施例中，在內(nèi)存模組中增加交換芯片，交換芯片將內(nèi)存模組中各內(nèi)存區(qū)塊包含的位寬為L1的內(nèi)存顆粒進行互聯(lián)，并基于這些內(nèi)存區(qū)塊向內(nèi)存控制器提供與內(nèi)存控制器的位寬L相適配的虛擬內(nèi)存區(qū)塊，虛擬內(nèi)存空間的位寬為L2，且滿足L＝L2*N、L2L1，使得內(nèi)存控制器可以成功訪問第一內(nèi)存區(qū)塊。因為第一內(nèi)存區(qū)塊的實際內(nèi)存空間為L1*NL2*N，由此可見在無需增加集成有內(nèi)存控制器的CPU的數(shù)量的情況下可以實現(xiàn)內(nèi)存擴容，實現(xiàn)成本相對較低。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)存訪問方法、交換芯片、內(nèi)存模組及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

在服務(wù)器、終端設(shè)備等設(shè)備的使用過程中，經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的情況。內(nèi)存容量主要受限于內(nèi)存控制器和單個內(nèi)存顆粒的容量。單個內(nèi)存顆粒的容量依賴于動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的顆粒工藝與制程，而顆粒工藝的進步比較慢，無法及時滿足應(yīng)用對內(nèi)存容量的需求。

面對內(nèi)存需求問題，傳統(tǒng)做法是通過增加內(nèi)存控制器的數(shù)量來增加內(nèi)存容量，由于內(nèi)存控制器與中央處理器(Central Processing Unit，CPU)集成在一起，所以這種方式的實現(xiàn)成本較高，因此，需要一種新的方案來解決內(nèi)存擴容問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的多個方面提供一種內(nèi)存訪問方法、交換芯片、內(nèi)存模組及電子設(shè)備，用以實現(xiàn)內(nèi)存擴容，降低實現(xiàn)成本。

本申請實施例提供一種內(nèi)存訪問方法，適用于內(nèi)存模組，所述內(nèi)存模組包括至少一個內(nèi)存區(qū)塊，每個內(nèi)存區(qū)塊包括位寬為L1的N個內(nèi)存顆粒，所述方法包括：

按照所述內(nèi)存模組中第一內(nèi)存區(qū)塊對應(yīng)的位寬L與位寬L2之間的位寬映射關(guān)系，將內(nèi)存控制器輸出的位寬為L的數(shù)據(jù)信號拆分為N個位寬為L2的下行數(shù)據(jù)信號；

根據(jù)所述第一內(nèi)存區(qū)塊對應(yīng)的位寬L1與位寬L2之間的編址映射關(guān)系，將所述N個位寬為L2的下行數(shù)據(jù)信號拼接為K1個位寬為L1的數(shù)據(jù)信號；

將所述K1個位寬為L1的數(shù)據(jù)信號寫入所述第一內(nèi)存區(qū)塊的K1個內(nèi)存顆粒中；其中，L＝L2*N，L2L1，K1＝N，且L1、L2、K1、N均為正整數(shù)。

本申請實施例還提供一種內(nèi)存訪問方法，適用于內(nèi)存模組，所述內(nèi)存模組包括至少一個內(nèi)存區(qū)塊，每個內(nèi)存區(qū)塊包括位寬為L1的N個內(nèi)存顆粒，所述方法包括：

從所述內(nèi)存模組中第一內(nèi)存區(qū)塊的K2個內(nèi)存顆粒中讀取K2個位寬為L1的數(shù)據(jù)信號；

根據(jù)所述第一內(nèi)存區(qū)塊對應(yīng)的位寬L1與位寬L2之間的編址映射關(guān)系，將所述K2個位寬為L1的數(shù)據(jù)信號拆分為N組位寬為L2的上行數(shù)據(jù)信號，每組包括L1/L2個位寬為L2的上行數(shù)據(jù)信號；

根據(jù)所述第一內(nèi)存區(qū)塊對應(yīng)的位寬L與位寬L2之間的位寬映射關(guān)系，將所述N組位寬為L2的上行數(shù)據(jù)信號合并為L1/L2個位寬為L的數(shù)據(jù)信號，依次輸出給內(nèi)存控制器；其中，L＝L2*N，L2L1，K2＝N，且L1、L2、K2、N均為正整數(shù)。

本申請實施例還提供一種內(nèi)存模組，包括：至少一個內(nèi)存區(qū)塊以及交換芯片，每個內(nèi)存區(qū)塊包括位寬為L1的N個內(nèi)存顆粒；

所述交換芯片包括：控制單元、與內(nèi)存控制器連接的上行端口組以及與所述至少一個內(nèi)存區(qū)塊中各內(nèi)存顆粒對應(yīng)連接的多個下行端口組；所述控制單元分別與所述上行端口以及所述多個下行端口組連接；

所述控制單元用于：基于所述至少一個內(nèi)存區(qū)塊向所述內(nèi)存控制器提供與所述內(nèi)存控制器的位寬L相適配的虛擬內(nèi)存空間，所述虛擬內(nèi)存空間的位寬為L2，且L＝L2*N，L2L1，L1、L2、N均為正整數(shù)。