[發明專利]器件清洗方法

有效

• 申請號: 201711132320.2
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN109786209B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種器件清洗方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓基底，所述基底的第一表面上形成有圖案化膜層；以及，

依序采用清洗液體和置換液體清洗所述基底，所述置換液體的表面張力小于所述清洗液體，其中，在以所述置換液體取代并排出所述清洗液體的過程中，以多段變速方式旋轉所述基底，使得所述基底的旋轉速度在第一旋轉速度與第二旋轉速度之間重復轉換，以置換所述圖案化膜層的凹陷區內的所述清洗液體。

2.如權利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置換液體取代并排出所述清洗液體的過程中，所述第二旋轉速度小于所述第一旋轉速度，使所述置換液體滲透至所述圖案化膜層的所述凹陷區。

3.如權利要求2所述的器件清洗方法，其特征在于，在依序采用所述清洗液體和所述置換液體清洗所述基底的步驟包括：

采用包含超純水成分的所述清洗液體對所述基底上的所述圖案化膜層進行液體清洗；以及，

采用包含異丙醇成分的所述置換液體對所述圖案化膜層的所述凹陷區內空間進行調降表面張力的液體置換；

在所述液體清洗的過程以及所述液體置換的過程中，均旋轉所述基底，所述基底的旋轉速度在所述第一旋轉速度與所述第二旋轉速度之間重復轉換。

4.如權利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置換液體取代并排出所述清洗液體的過程中，在所述基底的第二表面導入溫度高于常溫的導熱液體，以穩定所述基底的溫度在一高于常溫的溫度值，所述第一表面與所述第二表面分別位于所述基底的兩相對側。

5.如權利要求4所述的器件清洗方法，其特征在于，所述導熱液體包含超純水成分，其溫度介于70℃～80℃。

6.如權利要求2所述的器件清洗方法，其特征在于，所述第一旋轉速度介于950轉/秒～1050轉/秒，所述第二旋轉速度介于270轉/秒～330轉/秒。

7.如權利要求6所述的器件清洗方法，其特征在于，由所述第一旋轉速度至所述第二旋轉速度的過程有一減速過程，所述減速過程以950轉/秒～1050轉/秒的速度減速；由所述第二旋轉速度至所述第一旋轉速度的過程有一加速過程，所述加速過程以950轉/秒～1050轉/秒的速度加速。

8.如權利要求7所述的器件清洗方法，其特征在于，所述基底每維持一次第一旋轉速度的時間介于5s～7s，所述基底每維持一次第二旋轉速度的時間介于5s～7s，所述減速過程與所述加速過程的時間均介于0.65s～0.75s。

9.如權利要求3所述的器件清洗方法，其特征在于，在所述液體清洗和所述液體置換的開始階段，所述基底均從靜止開始旋轉并加速至所述第一旋轉速度，加速度為950轉/秒²～1050轉/秒²。

10.如權利要求3所述的器件清洗方法，其特征在于，在所述液體清洗中，所述清洗液體的流速介于1275毫升/分～1725毫升/分；在所述液體置換中，所述置換液體的流速介于210毫升/分～390毫升/分。

11.如權利要求4所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置換液體取代并排出所述清洗液體的過程中，所述導熱液體的流速介于360毫升/分～440毫升/分。

12.如權利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，所述置換液體取代并排出所述清洗液體的過程之后，所述器件清洗方法還包括：對所述基底進行旋轉干燥，并去除所述基底中殘留在所述圖案化膜層中的所述置換液體。

13.如權利要求1至12中任一項所述的器件清洗方法，其特征在于，提供所述晶圓基底的步驟包括：以化學刻蝕方式形成所述圖案化膜層的圖案，并且所述圖案化膜層包括多個支撐架結構層，并且所述圖案化膜層的所述凹陷區包括多個電容安裝孔，以適用于動態隨機存取器芯片的電容制作工藝。