[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711132081.0
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN108091719A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王進;彭福國;胡德政;徐希翔;李沅民
• 申請（專利權(quán)）人: 君泰創(chuàng)新（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L31/05
• 分類號: H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0747
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 周放;解立艷

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在晶體硅的正面沉積第一本征非晶硅層，在所述晶體硅的背面沉積第二本征非晶硅層；或者在所述晶體硅的背面沉積所述第一本征非晶硅層，在所述晶體硅的正面沉積所述第二本征非晶硅層；

在所述第一本征非晶硅層上沉積N型非晶硅層，在所述第二本征非晶硅層上沉積P型非晶硅層；

在所述N型非晶硅層的表面和所述P型非晶硅層的表面分別沉積透明導(dǎo)電膜層；

在所述晶體硅的正面和背面的所述透明導(dǎo)電膜層上分別沉積銀薄層；

在所述晶體硅的正面和背面的所述銀薄層上分別通過絲網(wǎng)印刷形成主柵線電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述晶體硅的正面和背面的所述透明導(dǎo)電膜層上分別沉積銀薄層具體包括：

在所述晶體硅的正面和背面的所述透明導(dǎo)電膜層上分別通過掩膜版遮擋所述透明導(dǎo)電膜層上的非主柵區(qū)域；

在所述透明導(dǎo)電膜層上的主柵區(qū)域沉積所述銀薄層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述晶體硅的正面和背面的所述銀薄層上分別通過絲網(wǎng)印刷形成主柵線電極具體包括：

在所述晶體硅的正面和背面的所述銀薄層上分別通過絲網(wǎng)印刷形成主柵線電極和細柵線電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，在晶體硅的正面沉積第一本征非晶硅層，在所述晶體硅的背面沉積第二本征非晶硅層；或者在所述晶體硅的背面沉積所述第一本征非晶硅層，在所述晶體硅的正面沉積所述第二本征非晶硅層之前包括：

通過制絨工藝對所述晶體硅進行表面處理；

清洗經(jīng)過制絨工藝后的所述晶體硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述銀薄層采用物理氣相沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述銀薄層采用磁控濺射法沉積，濺射功率為2.5W/cm2，濺射壓強為0.2Pa，濺射氣體為氬氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述晶體硅的正面和背面的所述透明導(dǎo)電膜層上分別沉積銀薄層之后還包括：

采用低溫熱注入或低溫光注入退火方式修復(fù)所述銀薄層。

8.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，包括：

晶體硅；

設(shè)置在所述晶體硅正面和反面的本征非晶硅層；

設(shè)置在所述晶體硅正面的所述本征非晶硅層上的N型非晶硅層；

設(shè)置在所述晶體硅背面的所述本征非晶硅層上的P型非晶硅層；

設(shè)置在所述N型非晶硅層和所述P型非晶硅層上的透明導(dǎo)電膜層；

設(shè)置在所述晶體硅正面和反面的所述透明導(dǎo)電膜層上的銀薄層；

設(shè)置在所述晶體硅正面和反面的所述銀薄層上的主柵線電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述銀薄層的厚度范圍值為10～200nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述晶體硅的厚度范圍值為100～250um。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述本征非晶硅層的厚度范圍值為1～20nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述N型非晶硅層的厚度范圍值為1～20nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述P型非晶硅層的厚度范圍值為1～20nm。