[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201711131498.5
• 申請日: 2017-11-15
• 公開（公告）號: CN107994105B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 蘭葉;顧小云;汪洋;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層、P型電極和N型電極，所述N型半導體層、所述多量子阱層、所述P型半導體層依次層疊在所述襯底的一個表面上，所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的凹槽，所述N型電極設置在所述凹槽內的N型半導體層上，所述P型電極設置在所述P型半導體層上；所述P型電極包括焊點和電極線，所述電極線的一端與所述焊點連接，所述電極線的另一端沿遠離所述焊點的方向延伸；所述電極線包括從所述P型半導體層一側起依次向上層疊的粘附層、反光層和打線層，所述反光層和所述打線層為Al膜；其特征在于，所述電極線還包括設置在所述反光層和所述打線層之間的復合層，所述復合層包括從所述反光層一側起依次向上層疊的第一過渡層、導電層和第二過渡層，所述導電層為Cu膜，所述第一過渡層和所述第二過渡層為TiW膜。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述TiW膜包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層中Ti組分的含量大于所述第二子層中Ti組分的含量，所述第二子層中Ti組分的含量小于所述第三子層中Ti組分的含量。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一子層和所述第三子層的厚度之和為20nm～40nm。

4.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一過渡層和所述第二過渡層的厚度之和為100nm～150nm。

5.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述導電層的厚度為400nm～600nm。

6.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括設置在所述襯底的表面上的分布式布拉格反射鏡DBR，所述襯底設置所述DBR的表面為與所述襯底設置所述N型半導體層的表面相反的表面；所述DBR包括多個周期的金屬氧化物薄膜，所述多個周期的金屬氧化物薄膜依次層疊，每個周期的金屬氧化物薄膜包括至少兩種材料的金屬氧化物薄膜，不同材料的金屬氧化物薄膜的折射率不同，所述至少兩種材料的金屬氧化物薄膜依次層疊設置，不同周期的金屬氧化物薄膜中至少兩種材料的金屬氧化物薄膜的層疊順序相同。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述DBR中N1個周期的金屬氧化物薄膜的厚度為藍光波長的四分之一，所述DBR中N2個周期的金屬氧化物薄膜的厚度為黃光波長的四分之一，N1和N2為正整數，且N1和N2之和等于所述DBR中金屬氧化物薄膜的周期數。

8.一種發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上依次生長N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層；

在所述P型半導體層上開設延伸至所述N型半導體層的凹槽；

在所述凹槽內的N型半導體層上設置N型電極，在所述P型半導體層上設置P型電極；

其中，所述P型電極包括焊點和電極線，所述電極線的一端與所述焊點連接，所述電極線的另一端沿遠離所述焊點的方向延伸；所述電極線包括從所述P型半導體層一側起依次向上層疊的粘附層、反光層、復合層和打線層，所述反光層和所述打線層為Al膜，所述復合層包括從所述反光層一側起依次向上層疊的第一過渡層、導電層和第二過渡層，所述導電層為Cu膜，所述第一過渡層和所述第二過渡層為TiW膜。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽內的N型半導體層上設置N型電極，在所述P型半導體層上設置P型電極，包括：

采用磁控濺射技術在所述凹槽內的N型半導體層上形成N型電極，在所述P型半導體層上形成P型電極。

10.根據權利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述TiW膜包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層中Ti組分的含量大于所述第二子層中Ti組分的含量，所述第二子層中Ti組分的含量小于所述第三子層中Ti組分的含量。