[發(fā)明專利]一種開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711130892.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN107902110B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉繪瑩;劉勇;何小斌;劉世超;靳洋;陳海濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海空間電源研究所
• 主分類號(hào): B64G1/44
• 分類號(hào): B64G1/44
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周榮芳

1.一種開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，包括多個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊；每個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊包括一個(gè)DC/DC電路，一個(gè)隔離二極管、一個(gè)保護(hù)二極管以及一個(gè)正輸入端口、一個(gè)負(fù)輸入端口、一個(gè)正輸出端口和一個(gè)負(fù)輸出端口；每個(gè)DC/DC電路具有一個(gè)正輸入端口、一個(gè)負(fù)輸入端口、一個(gè)正輸出端口和一個(gè)負(fù)輸出端口；所述DC/DC電路的正輸入端口和MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸入端口連接；所述DC/DC電路的負(fù)輸入端口和MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸入端口連接；所述隔離二極管的正端與DC/DC電路的正輸出端口連接；所述保護(hù)二極管的負(fù)端分別與隔離二極管的負(fù)端和MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸出端口連接；所述保護(hù)二極管的正端分別與DC/DC電路的負(fù)輸出端口和MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸出端口連接。

2.如權(quán)利要求1所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，其還包括封裝結(jié)構(gòu)，用于將集成電路裸芯片、平面電感以及其它微型器件進(jìn)行組合封裝。

3.如權(quán)利要求1所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，所述MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸入端口和負(fù)輸入端口與太陽電池陣連接。

4.如權(quán)利要求1所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，所述多個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的輸出端口并聯(lián)連接。

5.如權(quán)利要求1所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，所述多個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的輸出端口串聯(lián)連接。

6.如權(quán)利要求1所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，所述多個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的輸出端口先串聯(lián)后并聯(lián)連接。

7.如權(quán)利要求6所述的開放式架構(gòu)高集成MPPT標(biāo)準(zhǔn)化模塊，其特征在于，其包括N個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊，N為大于或等于4的偶數(shù)；第1個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸出端口與第N/2個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸出端口串聯(lián)連接；第N/2+1個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸出端口與第N個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸出端口串聯(lián)連接；第1個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸出端口與第N/2+1個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的正輸出端口并聯(lián)連接；第N/2個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸出端口與第N個(gè)MPPT標(biāo)準(zhǔn)化子模塊的負(fù)輸出端口并聯(lián)連接。