[發(fā)明專利]一種CMP設(shè)備承載臺(tái)表面的處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711130862.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN107904646B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊師;費(fèi)玖海;張志軍;李玉敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所）
• 主分類號(hào): C25D11/30
• 分類號(hào): C25D11/30
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 楊靜安

1.一種CMP設(shè)備承載臺(tái)表面的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

(A)配制氧化液，所述氧化液由硼酸、硫酸、醋酸、鉻酸、氯化銨、二氧化硅磨料和丙三醇組成；

(B)將CMP設(shè)備承載臺(tái)面板采用稀土鹽溶液進(jìn)行前驅(qū)處理，所述稀土鹽溶液中包括Ce(NO₃)₃50-70g/L，Nd(NO₃)₃40-60g/L，Ni(NO₃)₃75-95g/和Y(NO₃)₃15-45g/L；

(C)將經(jīng)過上述前驅(qū)處理的面板采用所述氧化液進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理20-60min，電流密度控制在1-3A/dm²，處理溫度為30-40℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(A)中，配制的氧化液中，硼酸12-15g/L、硫酸5-8g/L、醋酸13-17g/L、鉻酸9-10g/L、氯化銨5-6g/L、二氧化硅磨料4-7g/L和丙三醇20-40g/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(A)中，所述二氧化硅磨料的比表面積為60-150m²/g，RDA研磨性為30-90之間，折光率為1.44-1.50之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述二氧化硅磨料的比表面積為80-100m²/g，RDA研磨性為40-80之間，折光率為1.46-1.48之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(B)中，將所述面板浸泡在所述稀土鹽溶液中1-2h，浸泡溫度控制在90-100℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理方法，其特征在于，所述稀土鹽溶液的pH值控制在6-9之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理方法，其特征在于，所述稀土鹽溶液的pH值為8。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理方法，其特征在于，采用稀土鹽溶液前驅(qū)處理后，去離子水清洗2-3次，80-90℃條件下烘干。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(C)中，陽(yáng)極氧化處理后，在濃度為3-7g/L的重鉻酸鉀溶液中進(jìn)行封閉處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(C)中，重鉻酸鉀溶液中封閉處理15-35min后，在3-7g/L的醋酸鎳溶液中再進(jìn)行封閉處理30-40min。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理方法，其特征在于，所述步驟(C)中，封閉處理的溫度均控制在90-100℃之間。