[發(fā)明專利]鰭式場效應(yīng)晶體管器件和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711130153.8
• 申請(qǐng)日: 2017-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN109427889B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張銘慶;楊寶如;林毓超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)的方法，包括：

去除第一鰭上方的偽柵極結(jié)構(gòu)的第一部分，同時(shí)保留第二鰭上方的所述偽柵極結(jié)構(gòu)的第二部分，其中，去除所述第一部分形成暴露所述第一鰭的第一凹槽；

在所述第一凹槽的側(cè)壁和底部上以及所述第一鰭上方形成第一柵極介電材料；

去除所述第二鰭上方的所述偽柵極結(jié)構(gòu)的所述第二部分，其中，去除所述第二部分形成暴露所述第二鰭的第二凹槽；

在所述第二凹槽的側(cè)壁和底部上以及所述第二鰭上方形成第二柵極介電材料，所述第二柵極介電材料接觸所述第一柵極介電材料；以及

用導(dǎo)電材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽以分別形成第一柵電極和第二柵電極，其中，所述第一柵極介電材料在所述第一凹槽的側(cè)壁上的部分和所述第二柵極介電材料在所述第二凹槽的側(cè)壁上的部分形成絕緣區(qū)，并且所述絕緣區(qū)將所述第一柵電極和所述第二柵電極分隔開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二凹槽暴露所述第一柵極介電材料的至少部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述第二柵極介電材料包括在所述第二凹槽中共形地形成所述第二柵極介電材料，其中，所述第二柵極介電材料接觸由所述第二凹槽暴露的所述第一柵極介電材料的部分并且沿著由所述第二凹槽暴露的所述第一柵極介電材料的部分延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)的所述第一部分包括各向異性蝕刻工藝，其中，去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)的所述第二部分包括各項(xiàng)同性蝕刻工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在第一蝕刻步驟和之后的第二蝕刻步驟中實(shí)施所述各向異性蝕刻工藝，其中，所述第一蝕刻步驟使用與所述第二蝕刻步驟不同的蝕刻劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成所述第一柵極介電材料之后并且在去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)的所述第二部分之前，用第一犧牲材料填充所述第一凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一犧牲材料包括金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在形成所述第二柵極介電材料之后并且在用導(dǎo)電材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽之前，用第二犧牲材料填充所述第二凹槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一犧牲材料是與所述第二犧牲材料相同的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：在用所述導(dǎo)電材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽之前，分別從所述第一凹槽和所述第二凹槽去除所述第一犧牲材料和所述第二犧牲材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：在去除所述第一犧牲材料和所述第二犧牲材料之前，實(shí)施平坦化工藝以去除所述第一犧牲材料的頂部和所述第二犧牲材料的頂部。