[發明專利]一種基于D/M/D電極的OLED器件的出光率的計算方法在審
| 申請號： | 201711129990.9 | 申請日： | 2017-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN107944109A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 唐義;塔格塔 | 申請（專利權）人： | 唐義 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京理工大學專利中心11120 | 代理人： | 劉芳,仇蕾安 |
| 地址： | 100081 北京市海淀區中關*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電極 oled 器件 出光率 計算方法 | ||
1.一種基于D/M/D電極的OLED器件出光率的計算方法，其特征在于，其具體過程為：
將OLED器件的發光層定義為第一層、空穴傳輸層定義為第二層，并依此類推，第M-3層為內電介質層，M-2層為金屬層，第M-1層為外電介質層，最后一層即第M層為空氣層；
計算OLED器件的每個相鄰層界面的透過率Tm，m＝1，2，...，M，M為總的層數；
將所述透過率Tm帶入出射光的光通量式中，計算出射光的光通量ΦM；
由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。
2.根據權利要求1所述一種基于D/M/D電極的OLED器件出光率的計算方法，其特征在于，所述光通量式如下：
其中，I1為OLED器件發光層中的發光點S的光強，NM表示第M層薄膜的復折射率，N1表示第1層薄膜的復折射率，θM為光在第M層薄膜中的入射角度，ΩM為光在第M層薄膜中的半個立體角。
3.根據權利要求1所述一種基于D/M/D電極的OLED器件出光率的計算方法，其特征在于，其主要使用參數為：
此計算方法中采用了薄膜的復折射率N，表示為N＝n-ik。其中，n為折射率，k為吸收系數。當材料沒有吸收屬性時N＝n。
4.根據權利要求1所述一種基于D/M/D電極的OLED器件出光率的計算方法，其特征在于，其金屬層的材料為：
金屬的折射率n的范圍是0.0～1.0，折射率越小器件出光率越高。并且，折射率小于1時出光率大于35％。金屬層的折射率對器件出光率的影響遠大于內電介質層和外電介質層的折射率對器件出光率的影響。金屬層厚度在10nm～17nm之間為最佳。
5.根據權利要求1所述一種基于D/M/D電極的OLED器件出光率的計算方法，其特征在于，其內電介質層和外電介質層的材料為：
內電介質層表示的是有機材料和金屬層之間的電介質材料薄膜層，外電介質表示的是金屬層和基底之間的電介質材料薄膜層。內電介質層和外電介質層的材料折射率大概范圍是2.0～2.8，越大越好。而且，內電介質和外電介質層薄膜厚度分別在40nm～80nm和70nm～90nm之間。
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