[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711129123.5
• 申請(qǐng)日: 2015-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108155156A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇洹漳;李志成;何政霖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含:

第一介電層，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

第二介電層，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一介電層的所述第二表面附接于所述第二介電層的所述第一表面；

組件，其在所述第二介電層內(nèi)，所述組件包含至少兩個(gè)電觸點(diǎn)；

第一圖案化導(dǎo)電層，其自所述第一介電層的所述第一表面暴露，且被包埋在所述第一介電層中而未自所述第一介電層的所述第一表面突出；以及

至少兩個(gè)導(dǎo)電通孔，其穿透所述第一介電層或所述第二介電層,每一導(dǎo)電通孔電連接到所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)之一相應(yīng)者。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)包含安置在所述組件的相對(duì)側(cè)的兩個(gè)電觸點(diǎn),和所述電觸點(diǎn)的每一者的第一表面的至少一部分由所述第二介電層暴露。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中每一導(dǎo)電通孔安置在所述兩個(gè)電觸點(diǎn)的所述相應(yīng)者的所述第一表面的暴露部分上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中針對(duì)所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)的每一者,所述組件位于所述第二介電層內(nèi)使得所述電觸點(diǎn)的第一表面的周長(zhǎng)的投影相交所述第二介電層的所述第一表面和所述電觸點(diǎn)的第二表面的周長(zhǎng)的投影相交所述第二介電層的所述第二表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)包含第一電觸點(diǎn)和第二電觸點(diǎn),和所述第一圖案化導(dǎo)電層包含通過(guò)所述組件及在所述第一電觸點(diǎn)的所述第一表面的所述周長(zhǎng)的所述投影與所述第二電觸點(diǎn)的所述第一表面的所述周長(zhǎng)的所述投影之間的至少一跡線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)導(dǎo)電通孔包含從所述第二介電層的所述第二表面延伸到所述第一電觸點(diǎn)的第一導(dǎo)電通孔和從所述第二介電層的所述第二表面延伸到所述第二電觸點(diǎn)的第二導(dǎo)電通孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)導(dǎo)電通孔進(jìn)一步包含從所述第一介電層的所述第一表面延伸到所述第一電觸點(diǎn)的第三導(dǎo)電通孔和從所述第一介電層的所述第一表面延伸到所述第二電觸點(diǎn)的第四導(dǎo)電通孔。

8.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含：

第一介電層，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

第二介電層，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一介電層的所述第二表面附接于所述第二介電層的所述第一表面；

組件，其在所述第二介電層內(nèi)，所述組件包含至少兩個(gè)電觸點(diǎn)，

第一圖案化導(dǎo)電層，其在所述第一介電層內(nèi),所述第一圖案化導(dǎo)電層的頂表面與所述第一介電層的所述第一表面實(shí)質(zhì)上共面；以及

至少兩個(gè)導(dǎo)電通孔，其穿透所述第一介電層或所述第二介電層和電連接到所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)的一相應(yīng)者。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)包含安置在所述組件的相對(duì)側(cè)的兩個(gè)電觸點(diǎn),和所述電觸點(diǎn)的每一者的第一表面的至少一部分由所述第二介電層暴露。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)導(dǎo)電通孔的每一導(dǎo)電通孔安置在所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)的所述相應(yīng)者的所述第一表面的暴露部分上。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中針對(duì)所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)的每一者,所述組件位于所述第二介電層內(nèi)使得所述電觸點(diǎn)的第一表面的周長(zhǎng)的投影相交所述第二介電層的所述第一表面和所述電觸點(diǎn)的第二表面的周長(zhǎng)的投影相交所述第二介電層的所述第二表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少兩個(gè)電觸點(diǎn)包含第一電觸點(diǎn)和第二電觸點(diǎn),和所述第一圖案化導(dǎo)電層包含通過(guò)所述組件及在所述第一電觸點(diǎn)的所述第一表面的所述周長(zhǎng)的所述投影與所述第二電觸點(diǎn)的所述第一表面的所述周長(zhǎng)的所述投影之間的至少一跡線。