[發明專利]一種雙面線圈小型UHF標簽在審
| 申請號: | 201711127459.8 | 申請日: | 2017-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN107844824A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 祁海波;鄧元明;伯林;林超;黃軍祥;王春;吳鵬 | 申請(專利權)人: | 上揚無線射頻科技揚州有限公司 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司32102 | 代理人: | 陳棟智 |
| 地址: | 225000 江蘇省揚州市廣陵*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 線圈 小型 uhf 標簽 | ||
技術領域
本發明涉及一種標簽,特別涉及一種小型UHF標簽。
背景技術
現有的無線射頻識別標簽(RFID)技術主要分為UHF(超高頻)標簽和HF(高頻)標簽,這是兩種獨立的、不同工作模式的標簽,UHF標簽是一個芯片搭配折疊偶極子天線工作于800-1000MHZ頻段的RFID技術;HF標簽是一個芯片搭配線圈天線工作與13.56MHZ頻段的RFID技術。隨著RFID產業的飛速發展,UHF(超高頻)標簽和HF(高頻)標簽需求量急劇上升,而UHF(超高頻)標簽的需求量已超出HF(高頻)標簽的需求數量,UHF(超高頻)標簽逐件占主導地位。
隨著UHF(超高頻)標簽在零售、物流、醫療、倉儲管理中的大量應用,對UHF(超高頻)標簽的尺寸、性能等需求也隨之越來越高,隨著UHF標簽尺寸的減小部分標簽的性能隨之減弱,為了尺寸和性能都能達到使用效果,就需要突破傳統UHF天線設計工藝進行重新設計。
由于標簽尺寸的局限性,導致微型標簽使用常規單面線圈的設計理念,無法滿足標簽的測試性能。
發明內容
本發明的目的是提供一種雙面線圈小型UHF標簽,在滿足測試性能的條件下,縮小了標簽的尺寸。
本發明的目的是這樣實現的:一種雙面線圈小型UHF標簽,包括基材,所述基材為鋁蝕刻天線,所述鋁蝕刻天線包括設置在PET片材兩側的正面線圈和背面線圈,所述正面線圈和背面線圈均為斷路線圈,且均為兩匝結構,所述正面線圈上連接有芯片。
作為本發明的進一步限定,所述正面線圈和背面線圈均為正方形,且兩線圈環路尺寸為4(±0.02)mm×4(±0.02)mm。
作為本發明的進一步限定,所述正面線圈和背面線圈尺寸一致,二者重合套準,套準精度為±0.03mm。
作為本發明的進一步限定,所述正面線圈尺寸為不對稱分布結構,包括套在正面內層線圈外周的正面外層線圈,所述正面內層線圈上一邊斷路處理,正面外層線圈上與正面內層線圈相對的一邊也斷路處理,且斷路處經芯片相連接,正面外層線圈斷路的一端加工成方形綁定區,正面外層線圈斷路的另一端與正面內層線圈連接在一起,所述正面內層線圈和正面外層線圈連接處加工成與所述方形綁定區配合的折彎部。
作為本發明的進一步限定,所述正面內層線圈底邊線寬為0.24±0.02mm,正面內層線圈其余邊線寬均為0.2±0.02mm,正面內層線圈上斷路開設在右側邊,所述正面外層線圈底邊線圈為0.24±0.02mm,正面外層線圈其余邊線寬均為0.2±0.02mm,正面外層線圈上斷路開設在左側邊,所述正面內層線圈底邊與正面外層線圈底邊線距為0.24±0.02mm,所述正面內層線圈頂邊與正面外層線圈頂邊線距為0.2±0.02mm,所述正面內層線圈右邊與正面外層線圈右邊線距為0.2±0.02mm,所述正面內層線圈折彎部上方的左邊與正面外層線圈左邊線距為0.2±0.02mm,所述方形綁定區的尺寸為0.4(±0.02)mm×0.5(±0.02)mm。
作為本發明的進一步限定,所述背面線圈尺寸為不對稱分布結構,包括套在背面內層線圈外周的背面外層線圈,所述背面內層線圈和背面外層線圈右邊均斷路處理,所述背面內層線圈斷路處的下方一端與背面外層線圈斷路處的上方一端連接在一起。
作為本發明的進一步限定,所述背面內層線圈底邊線寬為0.24±0.02mm,背面內層線圈其余邊線寬均為0.2±0.02mm,所述背面外層線圈底邊線圈為0.24±0.02mm,背面外層線圈其余邊線寬均為0.2±0.02mm,所述背面內層線圈底邊與背面外層線圈底邊線距為0.24±0.02mm,所述背面內層線圈其余邊與背面外層線圈其余邊線距為0.2±0.02mm,所述背面內層線圈與背面外層線圈連接處經折疊線圈連接,折疊線圈線寬為0.2±0.02mm。
作為本發明的進一步限定,所述芯片為UCODE7系列芯片。
與現有技術相比,本發明的有益效果在于,本發明通過在標簽的背面增加線圈,使正面和背面線圈產生電容,通過背面線圈增加天線增益最終使小尺寸UHF標簽尺寸及性能達到使用者需求。
附圖說明
圖1為本發明結構示意圖。
圖2為本發明中正面線圈結構示意圖。
圖3為本發明中背面線圈結構示意圖。
圖4為本發明正面結構示意圖。
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