[發(fā)明專利]一種利用CVD方法直接在銅粉表面包覆石墨烯的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711125991.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107858663B | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉建影 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海上大瑞滬微系統(tǒng)集成技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C16/26 | 分類號(hào)： | C23C16/26;C23C16/458;B22F1/02 |
| 代理公司： | 上海助之鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31328 | 代理人： | 王風(fēng)平 |
| 地址： | 200444 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅粉 石墨烯 碳納米管陣列 包覆石墨 銅粉表面 碳納米管生長(zhǎng) 退火 表面氧化物 抗氧化能力 抗氧化性能 催化劑層 導(dǎo)電性能 范德華力 氣體碳源 燒結(jié) 上表面 銅晶粒 少層 蒸鍍 去除 制備 保證 生長(zhǎng) 覆蓋 | ||
1.一種利用CVD方法直接在銅粉表面包覆石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)使用電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)在350μm厚的具有一層200nm二氧化硅的P型單晶硅上表面蒸鍍催化劑層，其中，所述催化劑層為20nm的氧化鋁和1nm的鐵；
(2)利用CVD在550℃下退火3min，然后在665℃下進(jìn)行碳納米管生長(zhǎng)4min，其中，還原氣體為流速700sccm的氫氣，碳源氣體為流速100sccm的乙炔；
(3)將銅粉放置在步驟(2)獲得的碳納米管陣列表面，通過(guò)振動(dòng)使銅粉吸附在碳納米管表面，然后去除多余的銅粉，其中，所述銅粉為表面覆有檸檬酸鈉分散劑的納米銅粉，所述銅粉的尺寸為15nm至700nm；
(4)將步驟(3)中的銅粉與碳納米管放進(jìn)垂直的冷壁CVD中，在775℃下通入氫氣和氬氣退火5min去除表面氧化物及使銅晶粒長(zhǎng)大以便于石墨烯生長(zhǎng)，其中，氫氣流量為30sccm，氬氣流量為1000sccm；
(5)然后在775℃通入甲烷、氫氣和氬氣，其中，甲烷作為氣體碳源進(jìn)行石墨烯生長(zhǎng)，生長(zhǎng)時(shí)間為5min，氫氣為還原性氣體，氬氣為保護(hù)性氣體，最后先以200℃/min降至300℃，接著在氫氣和氬氣的氣流中降至150℃再開啟氣泵關(guān)閉氣體得到石墨烯包裹的銅粉，其中，所述甲烷流速為10sccm，氫氣流速為30sccm，氬氣流速為1000sccm。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
