[發明專利]一種外力可調節太赫茲波吸收器在審
| 申請號： | 201711125910.2 | 申請日： | 2017-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN107919533A | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 李九生 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00;G02B26/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外力 調節 赫茲 吸收 | ||
1.一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于它包括聚二甲基硅氧烷基底層(1)，金屬膜層(2)，聚二甲基硅氧烷膜層(3)，開口金屬層(4)；聚二甲基硅氧烷基底層(1)的上層是金屬膜層(2)，金屬膜層(2)的上層是聚二甲基硅氧烷膜層(3)，聚二甲基硅氧烷膜層(3)的上層是開口金屬層(4)；分別在聚二甲基硅氧烷基底層(1)的幾何中心和四個邊界的中心處開圓柱形槽(6)和四個幾何形狀大小相同的矩形槽(7)；開口金屬層(4)由四個半徑大小相同的四分之一圓塊(5)以吸收器的幾何中心對稱排列形成。太赫茲信號在開口金屬層(4)上方從幾何中心處垂直輸入，通過從外部給聚二甲基硅氧烷膜層(3)一定強度的拉力來使其向外舒張，從而帶動改變相鄰四分之一圓塊(5)之間的距離來改變開口金屬層(4)的等效電容，實現不同拉力強度下太赫茲波吸收峰的偏移，進而實現吸收可調功能。
2.根據權利要求1所述的一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于所述的聚二甲基硅氧烷基底層(1)的長度和寬度均為108μm～112μm，厚度為24μm～26μm。
3.根據權利要求1所述的一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于所述的金屬膜層(2)的材料為銅，長度和寬度均為108μm～112μm，厚度為0.2μm。
4.根據權利要求1所述的一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于所述的聚二甲基硅氧烷膜層(3)的長度和寬度均為108μm～112μm，厚度為4.6μm～5μm。
5.根據權利要求1所述的一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于所述的圓柱形槽(6)的半徑為29μm～31μm，高為24μm～26μm；矩形槽(7)的長為24μm～26μm，寬為10μm～12μm，高為10μm～12μm。
6.根據權利要求1所述的一種外力可調節太赫茲波吸收器，其特征在于所述的四個半徑大小相同的四分之一圓塊(5)的材料為銅，半徑為14μm～16μm，厚度為0.2μm，相鄰四分之一圓塊之間的原始距離為5μm。
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