[發(fā)明專利]一種多通道陣列傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711124906.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108061741B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫旭輝;吳慶樂;張平平;張書敏;徐紅艷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州慧聞納米科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/12 | 分類號(hào): | G01N27/12;G01K7/16 |
| 代理公司: | 北京智匯東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 康正德;薛峰 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通道 陣列 傳感器 | ||
1.一種多通道陣列傳感器,其特征在于,包括:
多個(gè)電極;和
分別與所述多個(gè)電極對(duì)應(yīng)的多個(gè)敏感材料層,每一所述敏感材料層是由敏感材料施加在對(duì)應(yīng)的電極上形成;
其中,每一所述電極的線寬和線距設(shè)置成根據(jù)施加在該電極上的敏感材料的預(yù)設(shè)基礎(chǔ)電阻來(lái)調(diào)節(jié);
每一敏感材料對(duì)應(yīng)的電極的最佳線寬和最佳線距通過以下方法來(lái)確定:
在線寬和線距均不相同的多個(gè)電極上施加相同的敏感材料,以獲取不同電極上的敏感材料的基礎(chǔ)電阻;
比較不同電極上的敏感材料的基礎(chǔ)電阻,以獲取最佳基礎(chǔ)電阻;
根據(jù)最佳基礎(chǔ)電阻確定對(duì)應(yīng)的電極,以獲得該電極對(duì)應(yīng)的線寬和線距,并將該電極對(duì)應(yīng)的線寬和線距作為該敏感材料的最佳線寬和最佳線距;
所述多個(gè)敏感材料層上的敏感材料選擇為完全相同、部分相同或完全不同;
且所述多個(gè)電極之間的線寬和線距設(shè)置成在所述多個(gè)敏感材料層上的敏感材料完全不同時(shí)選擇完全相同、部分相同或者均不相同;
所述多個(gè)電極之間的線寬和線距設(shè)置成在所述多個(gè)敏感材料層上的敏感材料部分相同時(shí)選擇完全相同、部分相同或者均不相同;
所述預(yù)設(shè)基礎(chǔ)電阻為所述敏感材料的最佳基礎(chǔ)電阻,以使得所述敏感材料達(dá)到最佳敏感性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多通道陣列傳感器,其特征在于,所述電極為交叉齒狀電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的多通道陣列傳感器,其特征在于,還包括:
基底,用于在所述基底上進(jìn)行刻蝕,以形成所述多個(gè)電極;
其中,所述基底的材料選自表面覆蓋絕緣層的硅片、石英、陶瓷和塑料中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多通道陣列傳感器,其特征在于,所述基底的形狀為正方形或長(zhǎng)方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多通道陣列傳感器,其特征在于,所述基底的長(zhǎng)度為范圍在0.6-10mm之間的任一數(shù)值,寬度為范圍在0.6-10mm之間的任一數(shù)值,厚度為范圍在0.3-1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的多通道陣列傳感器,其特征在于,所述電極的線寬為范圍在1-100μm之間的任一數(shù)值,線距為范圍在1-100μm之間的任一數(shù)值,厚度為范圍在10nm-50μm之間的任一數(shù)值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州慧聞納米科技有限公司,未經(jīng)蘇州慧聞納米科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711124906.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





