[發明專利]一種存儲器件中形成控制柵的工藝流程方法有效
| 申請號： | 201711123938.2 | 申請日： | 2017-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN107946308B | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發明（設計）人： | 徐靈芝;張志剛;王凱 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11563 | 分類號： | H01L27/11563 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲 器件 形成 控制 工藝流程 方法 | ||
1.一種存儲器件中形成控制柵的工藝流程方法，其特征在于，提供一晶圓，所述晶圓包括形成半導體器件的襯底，所述襯底劃分為第一器件區域和第二器件區域，所述第一器件區域和所述第二器件區域的表面為一多晶硅層包括以下步驟：
步驟S1、于所述多晶硅層表面涂覆一硬掩膜層；
步驟S2、去除所述第一器件區域表面的所述硬掩膜層，暴露所述多晶硅層；
步驟S3、于所述多晶硅層和所述硬掩膜層表面形成一第一掩膜層，圖案化所述第一掩膜層，于所述第一器件區域預定位置形成工藝窗口；
步驟S4、通過所述第一掩膜層對所述第一器件區域進行刻蝕，停留于所述襯底表面，形成第一器件區域控制柵極；
步驟S5、去除所述第一掩膜層，于所述硬掩膜層及所述第一器件區域表面形成一第二掩膜層，圖案化所述第二掩膜層，于所述第二器件區域預定位置形成工藝窗口；
步驟S6、通過所述第二掩膜層對所述第二器件區域進行刻蝕，停留于所述襯底表面，形成所述第二器件區域的柵極；隨后，去除所述第二掩膜層。
2.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述存儲器件為P型溝道閃存存儲器。
3.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述第一器件區域為存儲區。
4.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述第二器件區域為邏輯區域。
5.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述步驟S2中去除所述硬掩膜層的方法包括以下步驟：
步驟S21、于所述硬掩膜層表面形成一第三掩膜層；
步驟S22、圖案化所述第三掩膜層，于所述第一器件區域形成工藝窗口；
步驟S23、通過所述第三掩膜層對所述第一器件區域進行刻蝕，貫通所述硬掩膜層，暴露所述多晶硅層；
步驟S24、去除所述第三掩膜層。
6.根據權利要求5中所述的方法，其特征在于，所述步驟S22中，圖案化所述第三掩膜層時使用的光罩為所述第一器件區域離子注入時使用的光罩。
7.根據權利要求1中的方法，其特征在于，形成所述第二掩膜層的方法為依次覆蓋無定型碳、無氮介質抗反射涂層和光刻膠。
8.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述步驟S4中所述刻蝕方法為反應離子刻蝕。
9.根據權利要求1中的方法，其特征在于，所述步驟S6中所述刻蝕方法為反應離子刻蝕。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
