[發明專利]二極管模組在審
| 申請號： | 201711122199.5 | 申請日： | 2013-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN107731976A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 深圳邁遼技術轉移中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/12;G02B6/42 |
| 代理公司： | 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明蘭 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍華新區大浪街道龍*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二極管 模組 | ||
【權利要求書】：
1.一種二極管模組，包括：
半導體基底層，具有一表面，該表面包括依次相鄰設置的外延層生長區、光波導固定區及光纖接入區，該光纖接入區開設有光纖收容溝槽，該光纖收容溝槽的延伸方向指向該光波導固定區；
二極管外延層，形成于該外延層生長區，該二極管外延層包括沿遠離該表面依次排列的半導體緩沖層和PN結，該PN結之間形成有多重量子井結構層；
及光波導，形成于該光波導固定區，該光波導其中一側面與該多重量子井結構層一側面相對。
2.如權利要求1所述的二極管模組，其特征在于，該半導體緩沖層為N型緩沖層，該PN結包括P型半導體層和N型半導體層，其中該N型半導體層相鄰于該N型緩沖層。
3.如權利要求1所述的二極管模組，其特征在于，該半導體緩沖層為P型緩沖層，該PN結包括P型半導體層和N型半導體層，其中該P型半導體層相鄰于該P型緩沖層。
4.如權利要求1所述的二極管模組，其特征在于，該光纖收容溝槽為V型溝槽、或橫截面為長方形或多邊形的溝槽。
5.如權利要求1所述的二極管模組，其特征在于，該光波導為薄膜波導。
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