[發明專利]一種基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器及其應用

有效

• 申請號: 201711121388.0
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107942418B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 范春珍;田雨宸
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;H01Q17/00
• 代理公司: 鄭州立格知識產權代理有限公司 41126
• 代理人: 田小伍;劉彩霞

1.一種基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，包括從下到上依次設置的金屬反射層、介質層和圖案層，所述圖案層由呈周期性排列的十字形材料結構單元組成，所述每個十字形材料結構單元均由相互垂直的水平帶和垂直帶連接組成，水平帶和垂直帶均由石墨烯制成，所述十字型材料結構單元的晶格周期d為3-5μm，每個水平帶和垂直帶的寬a為0.6-1μm、長b為1.2-2μm。

2.如權利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，所述圖案層的厚度為1nm。

3.如權利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，所述金屬反射層為由高電導率的金屬材料制成的的金屬薄膜，金屬反射層的厚度為200 -300μm。

4.如權利要求3所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，所述金屬材料為金、銀、鋁或銅。

5.如權利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，所述介質層的介電常數為3-5，介質層的厚度為3-5μm。

6.如權利要求5所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器，其特征在于，所述介質層為二氧化硅薄膜。

7.權利要求1所述的基于十字形石墨烯材料的太赫茲雙波帶吸收器的應用，其特征在于，所述吸收器應用于電磁波的傳感、光學濾波和探測裝置。