[發明專利]真空處理腔室中的氫分壓控制

有效

• 申請號: 201711121327.4
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN108070849B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: J·厄赫;H·K·波內坎蒂
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種從沉積腔室去除副產物的方法，包括：

使一種或多種處理氣體流入所述沉積腔室的處理容積；

在設置在所述處理容積中的基板上沉積層，其中在沉積所述層期間在所述處理容積內由所述一種或多種處理氣體形成氣體的含氫副產物；

使反應氣體流動到與所述處理容積耦接的真空前級管線內，其中所述真空前級管線包含所述氣體的含氫副產物；

使所述反應氣體與所述氣體的含氫副產物的至少一部分在所述真空前級管線中反應以形成氣體的反應產物，其中所述氣體的反應產物包含分子質量高于所述氣體的含氫副產物的分子質量的分子；以及

將所述氣體的反應產物泵送出所述真空前級管線。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣體的含氫副產物包含原子氫、氫離子、氫自由基或它們的組合。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述反應氣體選自由氧氣(O₂)氣體、臭氧(O₃)、一氧化二氮(N₂O)、三氟化氮(NF₃)或它們的組合組成的組。

4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括激發所述反應氣體。

5.根據權利要求4所述的方法，其中激發所述反應氣體包括將所述反應氣體暴露于紫外線源、遠程RF等離子體、電容耦合的等離子體、電感耦合的等離子體、變壓器耦合的等離子體(TCP)、微波、熱能或它們的組合中的至少一種。

6.一種從沉積腔室去除副產物的方法，包括：

在設置在所述沉積腔室的處理容積中的基板上沉積層，其中在沉積所述層期間在所述處理容積內形成了氣體的含氫副產物；

使用通過真空前級管線與所述處理容積流體耦接的真空泵來抽空所述處理容積，其中抽空所述處理容積將所述氣體的含氫副產物遞送到所述真空前級管線內；以及

使反應氣體流入所述真空前級管線，其中所述反應氣體與所述氣體的含氫副產物的至少一部分在所述真空前級管線中反應以形成氣體的反應產物，所述反應產物包含分子質量高于所述氣體的含氫副產物的分子質量的分子。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述氣體的含氫副產物包含原子氫、氫離子、氫自由基或它們的組合。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述反應氣體選自由氧氣(O₂)氣體、臭氧(O₃)、一氧化二氮(N₂O)、三氟化氮(NF₃)或它們的組合組成的組。

9.根據權利要求6所述的方法，進一步包括在使所述反應氣體流入所述真空前級管線之前激發所述反應氣體。

10.根據權利要求6所述的方法，進一步包括激發所述真空前級管線中的所述反應氣體。

11.根據權利要求10所述的方法，其中激發所述反應氣體包括將所述反應氣體暴露于紫外線源、遠程RF等離子體、電容耦合的等離子體、電感耦合的等離子體、變壓器耦合的等離子體(TCP)、微波、熱能或它們的組合中的至少一種。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括在使所述反應氣體流入所述真空前級管線之前，停止所述沉積腔室與所述真空前級管線之間的氣體流動。

13.根據權利要求6所述的方法，其中所述反應氣體流入與所述真空前級管線流體耦接的反應腔室并與所述反應腔室中的所述氣體的含氫副產物反應。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在所述反應腔室中激發所述反應氣體。