[發(fā)明專利]一種廢棄磁芯再造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711119434.3
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107887151A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳詩煌;甘智豪;溫禮棟;倪春林;周家容
• 申請（專利權(quán)）人: 中山市東晨磁性電子制品有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02
• 代理公司: 廣東中億律師事務(wù)所44277
• 代理人: 杜海江

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種磁芯的制造方法，特別涉及一種廢棄磁芯的再造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中磁芯的制造方法包括以下六個步驟：

1、混合振動：將原料三氧化二鐵、氧化鋅、氧化亞鎳、氧化鎂、氧化銅、氧化鉍按配方比例混合振動，混合均勻磨細各種原料；

2、假燒：用上述混勻磨細的混合料進行假燒，燒結(jié)溫度900-1100℃，燒結(jié)時間約為 16小時，目的是使混合材料半鐵氧體化和穩(wěn)定后續(xù)工序中的產(chǎn)品燒結(jié)收縮率及減少產(chǎn)品變形；

3、造粒：假燒料經(jīng)過二次球磨或砂磨后按機械造粒法或噴霧造粒法造粒，使材料具有一定的流動性以便成型；

4、壓制成型:以上制造好的顆粒通過模具在成型壓機上壓制出所需形狀和尺寸的半成品；

5、燒結(jié)：將已成型好的半成品送入隧道窖，設(shè)定好燒結(jié)溫度曲線和臺速，進行燒結(jié)，根據(jù)隧道窖結(jié)構(gòu)和長度不同，燒結(jié)溫度在1000-1300℃，燒結(jié)時間約為16小時；

6、測試、挑選及包裝：經(jīng)過高溫燒結(jié)好的產(chǎn)品進行尺寸、外觀、電磁特性的測試后判斷是否合格，挑出外觀不良和斷裂的報廢品后，將合格產(chǎn)品進行全檢，然后打包進倉。

這種制造方法需要用到多種原料，而且有兩個步驟長時間需要高溫條件，消耗大量能源。

公開號為“CN102915821B”的專利文獻公開了一種鎳鋅軟磁的制造方法，該方案利用廢磁芯，經(jīng)過粉碎磨細、加膠制顆粒、壓制成型、烘干固化的步驟后將廢磁芯再造，環(huán)保節(jié)能，但該方案得到的磁芯外觀與非回收再造的磁芯外觀較為明顯，容易看得出是回收再造的產(chǎn)品，而且做出來的產(chǎn)品不夠致密，空氣分子過多，使用過程中，會形成一個不對等的磁場，造成較強烈強烈的干擾，對電子零件造成危害，縮短電器的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種所得磁芯外觀、性能和普通磁芯高度一致的廢棄磁芯再造方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種廢棄磁芯再造方法，包括以下步驟：

A、廢磁芯處理：將回收得的廢棄磁芯清洗干凈，然后倒入水球磨機中進行水球磨12-24h，得到粉料；

B、煮膠：按重量份將92份純水升溫至50-55℃，然后添加8份PVA粒攪拌升溫至95℃，繼續(xù)邊加熱邊攪拌5小時后停止加熱繼續(xù)攪拌，待溫度降到45℃以下后過濾包裝，得到PVA膠水；

C、超細研磨：按重量份將純水20-25份和步驟A得到的所述漿料58-65份加入立式砂磨機研磨20分鐘，再往所述立式砂磨機中加入分散劑0.2-0.5份、消泡劑0.1-0.35份、燒結(jié)助劑0.6-1.8份和步驟B得到的所述聚乙烯醇膠水16-20份，研磨60分鐘后泵入臥式砂磨機進行超細研磨60分鐘，得到料漿；

D、噴霧造粒: 將步驟C得到的所述料漿進行噴霧造粒法造粒，噴霧條件設(shè)定為噴霧入口溫度300±20℃，噴霧出口溫度110±10℃，送料頻率為10-13Hz，甩片頻率設(shè)定60Hz，噴霧出來的顆粒料需要進行加濕處理，要求松裝密度為1.25-1.45g/cm³，含水量≤0.4%，得到顆粒料進倉備用；

E、成型壓制: 將步驟D得到的所述顆粒料通過專用模具在粉末成型機上壓制成型出所需形狀和尺寸的半成品；

F、燒結(jié): 將已成型好的半成品送入隧道窖爐中，設(shè)定臺板速度為24mm/min-28mm/min，根據(jù)隧道窖結(jié)構(gòu)和長度，分為十一個區(qū)域，每個區(qū)域又分為上下溫區(qū)，燒結(jié)溫度在230-1085℃依次遞增，燒結(jié)時間約為14-18小時，冷卻后得到再造的磁芯。

步驟A中所述漿料細度為3-10μm。

步驟B中所述燒結(jié)助劑由以下質(zhì)量分數(shù)的物質(zhì)組成：氧化銅62%-94%、氧化鉍6%-38%。

步驟C中所述漿料平均粒徑D50要求在0.5μm以下。

步驟F中各個溫區(qū)的溫度具體為：第一區(qū)域上溫區(qū)230℃、第一區(qū)域下溫區(qū)300℃、第二區(qū)域上溫區(qū)330℃、第二區(qū)域下溫區(qū)380℃、第三區(qū)域上溫區(qū)430℃、第三區(qū)域下溫區(qū)480℃、第四區(qū)域上溫區(qū)530℃、第四區(qū)域下溫區(qū)580℃、第五區(qū)域上溫區(qū)660℃、第五區(qū)域下溫區(qū)730℃、第六區(qū)域上溫區(qū)750℃、第六區(qū)域下溫區(qū)795℃、第七區(qū)域上溫區(qū)800℃、第七區(qū)域下溫區(qū)840℃、第八區(qū)域上溫區(qū)860℃、第八區(qū)域下溫區(qū)900℃、第九區(qū)域上溫區(qū)980℃、第九區(qū)域下溫區(qū)1025℃、第十區(qū)域上溫區(qū)1060℃、第十區(qū)域下溫區(qū)1080℃、第十一區(qū)域上溫區(qū)1060℃、第十一區(qū)域下溫區(qū)1080℃。