[發明專利]一種氮化鎵異質結橫向整流器

在審

• 申請號: 201711119247.5
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN107910370A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 陳萬軍;崔興濤;施宜軍;李茂林;劉杰;劉超;周琦;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/47;H01L21/331
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種氮化鎵異質結橫向整流器，包括從下至上依次層疊設置的襯底(1)、GaN層(2)、AlGaN層(3)和SiN層(4)，所述GaN層(2)和AlGaN層(3)形成異質結；所述器件兩端分別具有混合陽極結構和歐姆陰極結構，所述混合陽極結構具有復合絕緣柵極結構和歐姆陽極結構，所述歐姆陽極結構和歐姆陰極結構以器件的垂直中線呈對稱分布；所述歐姆陽極結構為與AlGaN層(3)接觸形成陽極歐姆接觸電極(6)；所述歐姆陰極結構為與AlGaN層(3)接觸形成陰極歐姆接觸電極(8)；所述器件的復合絕緣柵極結構位于陽極歐姆接觸電極(6)靠近陰極歐姆接觸電極(8)的一側并與陽極歐姆接觸電極(6)接觸，復合絕緣柵極結構包括增強型絕緣柵結構和耗盡型絕緣柵結構，所述增強型絕緣柵結構包括通過刻蝕AlGaN層(3)形成的凹槽(9)和覆蓋在凹槽(9)中的絕緣柵介質(5)，以及覆蓋在絕緣柵介質(5)上的肖特基金屬柵電極(7)，肖特基金屬柵電極(7)與陽極歐姆接觸電極(6)接觸；所述耗盡型絕緣柵結構包括直接覆蓋在AlGaN層(3)表面的絕緣柵介質(5)，以及覆蓋在柵介質上的肖特基金屬柵電極(10)。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵異質結橫向整流器，其特征在于，所述絕緣柵介質(5)采用的材料為SiO₂、Si₃N₄、AlN、Al₂O₃、MgO或Sc₂O₃中的一種。