[發明專利]一種柔性電子功能材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201711118044.4
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107993972A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 姜昱丞;王彬;趙潤;劉國珍;高炬
• 申請（專利權）人: 蘇州科技大學
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/12
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：以硅片為襯底，在襯底上生長氧化層為犧牲層；采用化學或物理的方法，在犧牲層上生長功能性薄膜；將柔性襯底粘貼于功能性薄膜表面，再采用酸腐蝕方法將犧牲層腐蝕后，得到一種柔性電子功能材料。

2.根據權利要求1所述的一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：所述的柔性襯底的材料為聚乙烯或膠帶中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：所述的犧牲層為SiO₂或MgO中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：所述的功能性薄膜的材料為非晶碳a-C、Au或Pt中的一種。

5.根據權利要求1所述的一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：在襯底硅片表面自然生長氧化層SiO₂為犧牲層，采用磁控濺射或脈沖激光沉積方法，將非晶碳a-C功能性薄膜生長于氧化層表面；以聚乙烯PE膜為柔性襯底，將聚乙烯膜加熱至190～210℃，粘貼于非晶碳a-C功能性薄膜表面，得到Si/SiO₂/a-C/PE結構的樣品；將樣品置于質量濃度為5%的氟化氫溶液中，腐蝕處理2～5分鐘，得到一種a-C/PE柔性電子功能材料。

6.根據權利要求1所述的一種柔性電子功能材料的制備方法，其特征在于：在襯底硅片表面生長氧化層MgO為犧牲層，采用磁控濺射或脈沖激光沉積方法，在氧化層表面生長Au功能性薄膜；以聚乙烯PE膜為柔性襯底，將聚乙烯膜加熱至190～210℃，粘貼于Au功能性薄膜表面，得到Si/MgO/Au/PE結構的樣品；將樣品置于質量濃度為36%的醋酸溶液中，腐蝕處理120～150分鐘，得到一種Au /PE柔性電子功能材料。

7.按權利要求1制備方法得到的一種柔性電子功能材料。