[發明專利]串聯型DAB拓撲結構在審
| 申請號： | 201711117465.5 | 申請日： | 2017-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN107834860A | 公開（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發明（設計）人： | 徐曉軼;程亮;吉宇;王生強;黃霆 | 申請（專利權）人： | 國網江蘇省電力公司南通供電公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 蘇州市港澄專利代理事務所(普通合伙)32304 | 代理人： | 馬麗麗 |
| 地址： | 226006 江蘇省南通市崇川區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 串聯 dab 拓撲 結構 | ||
1.一種串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述串聯型DAB拓撲結構包括變壓器、變壓器副邊變流模塊以及變壓器原邊變流模塊；
所述變壓器原邊變流模塊包括：
第一電感、第一電容、由第一開關管和第二開關管串聯組成的第一半橋電路、由第三開關管和第四開關管串聯組成的第二半橋電路，以及，
第二電感、第二電容、由第五開關管和第六開關管串聯組成的第三半橋電路、由第七開關管和第八開關管串聯組成的第四半橋電路；
所述第一半橋電路、所述第二半橋電路、所述第三半橋電路和所述第四半橋電路相互串聯；
所述第一半橋電路的半橋中點通過所述第一電感與所述變壓器的原邊線圈的一端連接，所述第二半橋電路的半橋中點通過所述第一電容與所述變壓器的原邊線圈的另一端連接；
所述第三半橋電路的半橋中點通過所述第二電感與所述變壓器的原邊線圈的一端連接，所述第四半橋電路的半橋中點通過所述第二電容與所述變壓器的原邊線圈的另一端連接。
2.根據權利要求1所述的串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述變壓器副邊模塊包括由四個副邊開關管組成的H橋全橋電路，所述H橋全橋電路的交流端與所述變壓器的副邊線圈連接。
3.根據權利要求1所述的串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述第一開關管、第二開關管、第三開關管、第四開關管、第五開關管、第六開關管、第七開關管和第八開關管中的任意開關管為以下中的任一項：
場效應晶體管、絕緣柵雙極型晶體管、三極管、晶閘管或可控硅。
4.根據權利要求3所述的串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述第一開關管、第二開關管、第三開關管、第四開關管、第五開關管、第六開關管、第七開關管和第八開關管中的任意開關管的兩端并聯有反向的二極管或反向的二極管串聯組，所述二極管串聯組由多個二極管相互串聯組成。
5.根據權利要求4所述的串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述二極管為以下中的任一項：
肖特基二極管、快恢復二極管、硅管二極管或碳化硅二極管。
6.根據權利要求1至5任一項所述的串聯型DAB拓撲結構，其特征在于，所述第一半橋電路和所述第二半橋電路的兩端各并聯有一個原邊電容。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國網江蘇省電力公司南通供電公司，未經國網江蘇省電力公司南通供電公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711117465.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
