[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711117419.5
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN109786234B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供底部晶圓和頂部晶圓；

對所述底部晶圓和頂部晶圓實施鍵合工藝，使所述底部晶圓的頂表面與所述頂部晶圓的底面貼合，形成晶圓鍵合結(jié)構(gòu)；

對所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)實施第一邊緣修剪工藝，從所述頂部晶圓的與底面相對的頂表面往下切割，切割至所述底部晶圓的預(yù)定厚度處，所述第一邊緣修剪工藝具有自第一邊緣修剪位置處距離頂部晶圓的邊緣的第一寬度和自所述第一邊緣修剪位置處距離頂部晶圓頂表面的第一深度；

對所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)實施第二邊緣修剪工藝，從所述頂部晶圓的頂表面往下切割，切割至所述頂部晶圓的預(yù)定厚度處，所述第二邊緣修剪工藝具有自第二邊緣修剪位置處距離所述頂部晶圓的邊緣的第二寬度和自所述第二邊緣修剪位置處距離所述頂部晶圓的頂表面的第二深度，其中所述第二寬度大于所述第一寬度，所述第二深度小于所述第一深度，以使所述頂部晶圓的邊緣呈臺階狀；以及

對所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)實施第三邊緣修剪工藝，所述第三邊緣修剪工藝具有自第三邊緣修剪位置處距離所述頂部晶圓的邊緣的第三寬度和自所述第三邊緣修剪位置處距離所述頂部晶圓頂表面的第三深度，其中所述第三寬度大于所述第一寬度且小于所述第二寬度，所述第三深度小于所述第一深度且大于所述第二深度，進一步形成最終的臺階狀；

對所述頂部晶圓的頂表面實施研磨工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度的尺寸依次為：755um-760um、695um-699um、700um-705um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一寬度、所述第二寬度和所述第三寬度的尺寸依次為：1mm-1.2mm、1.8mm-2.0mm、1.4mm-1.6mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一邊緣修剪工藝同時對所述頂部晶圓和所述底部晶圓的邊緣進行修剪，所述第二邊緣修剪工藝和所述第三邊緣修剪工藝僅對所述頂部晶圓的邊緣進行修剪。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部晶圓包括MEMS晶圓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一邊緣修剪工藝、第二邊緣修剪工藝和第三邊緣修剪工藝由切割修邊機完成。