[發(fā)明專利]一種用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法

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• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107887372A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉功偉
• 申請（專利權(quán)）人: 北海威德電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11369
• 代理人: 靳浩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種聯(lián)合型LED制備技術(shù)。更具體地說，本發(fā)明涉及用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法。

背景技術(shù)

電子顯示器一般情況下由設(shè)置于基板上的LED作為光發(fā)射源構(gòu)成，除了等離子電視，其他顯示器一般由下列幾種光發(fā)射源構(gòu)成：帶彩色濾光器液晶光源、有機(jī)彩色光光源、帶彩色濾光器的有機(jī)白色光光源等，上述光源的電子顯示器均采用區(qū)域光源發(fā)射技術(shù)，

LED是通過在高密質(zhì)、高熔點(diǎn)的襯底上進(jìn)行高溫壘晶而成(把所需的元素、分子利用MOCVD物理氣象沉積法沉積于襯底上制備而成)完成壘晶后的外延片經(jīng)芯片制程工藝，切割成無數(shù)個LED芯片，經(jīng)封裝技術(shù)，再進(jìn)入顯示器的制備流程。

LED早期運(yùn)用于顯示器，如計算器等，目前LED隨工藝技術(shù)迅猛提高，已經(jīng)被廣泛運(yùn)用于LED各類電子顯示器，在大型電子顯示器中的運(yùn)用涉及單個LED芯片之間的布線問題，這些布線錯綜復(fù)雜，給LED封裝、應(yīng)用技術(shù)帶來了諸多不利因素，使LED電子顯示器組裝工藝復(fù)雜、增加了制造成本、降低了良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是解決大型電子顯示器中的運(yùn)用涉及單個LED芯片之間的布線問題，對LED芯片進(jìn)行了結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提供了制備該LED芯片的方法，經(jīng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，通過本發(fā)明方法制備的LED芯片是運(yùn)用于電子顯示器的各組LED芯片能規(guī)整布線，提高了LED封裝、應(yīng)用效率，降低了LED電子顯示器的生產(chǎn)成本，簡化了LED電子顯示器的組裝工藝，并且進(jìn)一步提高了生產(chǎn)良率。

本發(fā)明的另一個目的是提高使用本發(fā)明的LED芯片的電子顯示器在工作狀態(tài)下的熱量轉(zhuǎn)移，從而提高了電子顯示器的使用壽命。

本發(fā)明的再一個目的是提高運(yùn)用本發(fā)明方法制備的LED芯片的電子顯示器在同樣規(guī)格，本發(fā)明的LED芯片其出光率比一般芯片整體提高了1.3％左右。

為了實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)，提供了一種用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法包括：

將制備有壘晶層第一基板通過粘合層固定于第二基板；

其中第一基板壘晶層制備包括：經(jīng)切割后形成于第一基板上的P-N外延層；在P-N外延層上制備多層獨(dú)立的銦錫金屬氧化物層；在P-N外延層上的多層獨(dú)立的銦錫金屬氧化物層上橫向排列一層圖形化蝕刻掩膜；在多層獨(dú)立的銦錫金屬氧化物層上通過蝕刻P-N外延層形成多個P-N外延結(jié)構(gòu)，多個P-N外延結(jié)構(gòu)之間暴露的側(cè)邊覆蓋上絕緣層。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中所述第二基板的第一表面制備成粗糙且?guī)в邪纪够販媳砻妫c制備有壘晶層第一基板通過粘合層固定的第二基板的第二表面為圖形化表面，所述第二基板選自銅箔在高溫下直接鍵合到Al₂O₃或AlN陶瓷基片表面的復(fù)合基板。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中所述固定第一基板與第二基板的粘合層材料包括：10：1質(zhì)量比的甲基乙烯基聚硅氧烷混合物與甲基氫基聚硅氧烷混合物、1：1質(zhì)量比的氧化鋁與氫氧化鋁。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中通過粘合層固定于第二基板的制備有壘晶層的第一基板有三種，包括三種原色。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中通過粘合層固定于第二基板的每個制備有壘晶層的第一基板上都是一組單一顏色的P-N外延結(jié)構(gòu)，顏色選自：紅色、綠色和藍(lán)色。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中通過粘合層固定于第二基板的每個制備有壘晶層的第一基板上單一顏色的P-N外延結(jié)構(gòu)相互之間成一列擺布，第一基板上的紅色、綠色和藍(lán)色，三色P-N外延結(jié)構(gòu)成規(guī)則交叉固定設(shè)置于第二基板上。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中所述形成于P-N外延層上多層獨(dú)立的銦錫金屬氧化物層，其中多層為3-5層，銦錫金屬氧化物為氧化銦錫層。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中形成于P-N外延層上3-5層獨(dú)立的氧化銦錫層，其中各層氧化銦錫層中的In2o3與SnO2的質(zhì)量比為15：1-5：1之間。

本發(fā)明所述的用于大型顯示器的聯(lián)合型LED的制備方法，其中形成于P-N外延層上3-5層獨(dú)立的氧化銦錫層，其中各層氧化銦錫層中的In₂o₃與SnO₂的質(zhì)量比均不相同，從下之上，第一層氧化銦錫層至最上一層氧化銦錫層中的In2o3的含量降低，SnO₂的含量升高。