[發(fā)明專利]一種加熱用基板、加熱板、濕化器及其加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711116919.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107829125A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳瑞之谷醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C25D11/06 | 分類號(hào)： | C25D11/06;C25D11/24;C23C14/06;C23C14/32;C23C28/04;H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322 | 代理人： | 魯兵,郭凡 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 加熱 用基板 濕化器 及其 加工 方法 | ||
1.一種加熱用基板，包括基板本體，其特征在于，所述基板本體表面設(shè)有與基板本體冶金結(jié)合的氧化物陶瓷層；優(yōu)選的，所述冶金結(jié)合為氧化物陶瓷層在基板本體表面經(jīng)微弧氧化處理得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示加熱用基板，其特征在于，所述氧化物陶瓷層的厚度為10μm-100μm，優(yōu)選20-60μm，更優(yōu)選的，其熱導(dǎo)率超過(guò)20W/m.K，擊穿電壓>500V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所示加熱用基板，其特征在于，所述氧化物陶瓷層表面有微孔，且微孔中填充封閉有封孔劑；所述封孔劑優(yōu)選粒徑10-20nm的納米氧化鋁粉體或dichtol-HTR-#0977封孔劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所示加熱用基板，其特征在于，所述基板本體為鋁合金、鎂合金、鈦合金等輕金屬合金；優(yōu)選的，其厚度為1-2mm。
5.一種權(quán)利要求1-4任一所述加熱用基板的加工方法，包括加工基板本體形狀、基板本體的表面處理，其特征在于，還包括微弧氧化；優(yōu)選的，所述微弧氧化為通過(guò)微弧氧化在基板本體的表面上形成氧化物陶瓷層的過(guò)程。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化具體為：將表面處理后的基板本體放入微弧氧化電解槽作為陽(yáng)極浸沒(méi)在電解液中，進(jìn)行微弧氧化，從而在基板本體上形成氧化物陶瓷層，清洗并烘干，得到附有洛氏硬度為600-800HV的氧化物陶瓷層的加熱用基板；
優(yōu)選的，所述電解液含硅酸鈉10-15g/L、六偏磷酸鈉8-12g/L、乙二醇0.1-1.0g/L和丙三醇0.1-0.6g/L，pH值8-12；或含硅酸鈉10-15g/L、磷酸鈉8-12g/L、檸檬酸鈉0.1-0.6g/L、乙二醇0.1-1.0g/L、丙三醇0.1-1.0g/L(優(yōu)選0.1-0.6g/L)，pH值8-12；
優(yōu)選的，所述微弧氧化過(guò)程中：電解液溫度：20℃-30℃，電流密度：5-15A/dm2，電壓：300-700V，直流脈沖頻率：500Hz，占空比：20％-50％，微弧氧化時(shí)間：20-60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化具體為：將表面處理后的基板本體放入微弧氧化電解槽、作為陽(yáng)極浸沒(méi)在添加了封孔劑(選自納米氧化鋁粉體)的電解液中進(jìn)行微弧氧化，在基板本體上形成氧化物陶瓷層，同時(shí)完成封孔，清洗并烘干，得到附有洛氏硬度為600-800HV且其中微孔被填充封閉的氧化物陶瓷層的加熱用基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化后還包括封孔和去除氧化物陶瓷層表面殘留的封孔劑；
優(yōu)選的，所述封孔具體為：將表面有氧化物陶瓷層的基板本體先于真空條件下在封孔劑中浸漬，取出后清除表面殘留的封孔劑，再加熱至120℃-250℃固化30min-120min；或先用熱固性丙烯酸樹(shù)脂類電泳漆陰極電泳，再于150-210℃烘烤固化15-60min；
優(yōu)選的，所述去除封孔劑具體為：去除(一般采用機(jī)械磨削)殘留在氧化物陶瓷層表面的封孔劑，露出氧化物陶瓷層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化和封孔之間還包括機(jī)械打磨、拋光，具體為：機(jī)械打磨、拋光去除氧化物陶瓷層表面2-3μm的疏松層。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化后還順序包括機(jī)械打磨、拋光及封孔；優(yōu)選的，所述機(jī)械打磨、拋光具體為：機(jī)械打磨、拋光去除氧化物陶瓷層表面2-3μm的疏松層；優(yōu)選的，所述封孔具體為：在氧化物陶瓷層表面用微弧離子鍍沉積一層金剛石薄膜(DLC薄膜)，膜厚1-5μm。
11.一種加熱板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4任一所述加熱用基板、設(shè)置在加熱用基板上的電阻加熱層和位于電阻加熱層上的封裝保護(hù)層。
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