[發明專利]一種疊層封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201711116519.6
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107993988A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 鄭清毅
• 申請（專利權）人: 芯原微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供第一封裝體，并于所述第一封裝體上形成有復數個導電栓；

于所述第一封裝體上形成第一熱界面材料層；

于所述第一熱界面材料層上粘合第一散熱構件，所述第一散熱構件上設有暴露出所述導電栓的通孔；

于所述第一散熱構件上形成第二封裝體，所述第二封裝體通過導電栓與所述第一封裝體電連接；

其中，所述第一散熱構件的長度大于所述第二封裝體的長度，所述第一散熱構件的寬度大于所述第二封裝體的寬度，且所述第一散熱構件的深度小于或等于所述第二封裝體的高度。

2.根據權利要求1所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

于所述第二封裝體兩側的所述第一散熱構件上形成第二熱界面材料層；

于所述第二封裝體上形成第三熱界面材料層；及

于所述第二熱界面材料層及所述第三熱界面材料層上形成第二散熱構件；

其中，所述第二散熱構件的長度與所述第一散熱構件的長度相同，所述第二散熱構件的寬度與所述第一散熱構件的寬度相同。

3.根據權利要求1所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，當所述第一散熱構件的深度小于所述第二封裝體的高度時，所述制備方法還包括：

于所述第二封裝體兩側的所述第一散熱構件上形成第四熱界面材料層；及

于所述第二封裝體兩側的所述第四熱界面材料層上形成第三散熱構件；

其中，所述第三散熱構件的上表面與所述第二封裝體的上表面在同一水平面上。

4.根據權利要求3所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

于所述第三散熱構件上形成第五熱界面材料層；

于所述第二封裝體上形成第六熱界面材料層；及

于所述第五熱界面材料層及所述第六熱界面材料層上形成第四散熱構件；

其中，所述第四散熱構件的長度與所述第一散熱構件的長度相同，所述第四散熱構件的寬度與所述第一散熱構件的寬度相同。

5.根據權利要求1～4任一項所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：于所述疊層封裝結構上方散熱構件上安裝散熱器的步驟。

6.根據權利要求1～4任一項所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，述制備方法還包括：對所述散熱構件表面進行防氧化處理或鍍鎳處理的步驟。

7.根據權利要求1～4任一項所述的疊層封裝結構的制備方法，其特征在于，所述熱界面材料層的厚度為10um～900um。

8.一種疊層封裝結構，其特征在于，所述疊層封裝結構包括：

第一封裝體；

形成于所述第一封裝體上的復數個導電栓；

形成于所述第一封裝體上的第一熱界面材料層；

形成于所述第一熱界面材料層上的第一散熱構件，所述第一散熱構件上設有暴露出所述導電栓的通孔；及

形成于所述第一散熱構件上的第二封裝體，所述第二封裝體通過導電栓與所述第一封裝體電連接；

其中，所述第一散熱構件的長度大于所述第二封裝體的長度，所述第一散熱構件的寬度大于所述第二封裝體的寬度，且所述第一散熱構件的深度小于或等于所述第二封裝體的高度。

9.根據權利要求8所述的疊層封裝結構，其特征在于，所述疊層封裝結構還包括：

形成于所述第二封裝體兩側的所述第一散熱構件上的第二熱界面材料層；

形成于所述第二封裝體上的第三熱界面材料層；及

形成于所述第二熱界面材料層及所述第三熱界面材料層上的第二散熱構件；

其中，所述第二散熱構件的長度與所述第一散熱構件的長度相同，所述第二散熱構件的寬度與所述第一散熱構件的寬度相同。

10.根據權利要求8所述的疊層封裝結構，其特征在于，當所述第一散熱構件的深度小于所述第二封裝體的高度時，所述疊層封裝結構還包括：

形成于所述第二封裝體兩側的所述第一散熱構件上的第四熱界面材料層；及

形成于所述第二封裝體兩側的所述第四熱界面材料層上的第三散熱構件；

其中，所述第三散熱構件的上表面與所述第二封裝體的上表面在同一水平面上。