[發明專利]一種鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器及其制備方法在審
| 申請號： | 201711116375.4 | 申請日： | 2017-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN107884453A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 毛多鷺;凌云漢;彭建洪;楊永蕭 | 申請（專利權）人： | 青海民族大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所11569 | 代理人： | 劉奇 |
| 地址： | 810000 青海省西*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 修飾 氧化 納米 陣列 肖特基結氫敏 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器，包括金屬鈦箔、垂直分布于所述金屬鈦箔單面的TiO2納米管陣列、附著于所述TiO2納米管內壁和外壁上的鈀納米顆粒以及分別電連接于金屬鈦箔和TiO2納米管陣列表面的兩個銀電極。
2.根據權利要求1所述的鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器，其特征在于，所述TiO2納米管陣列中單個TiO2納米管的長度獨立地為1～3μm，TiO2納米管的外徑獨立地為100～150nm，TiO2納米管的壁厚獨立地為20～30nm。
3.根據權利要求1所述的鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器，其特征在于，所述鈀納米顆粒的粒徑為5～20nm。
4.根據權利要求1～3任意一項所述的鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器，其特征在于，按質量計，所述鈀納米顆粒在TiO2納米管上的修飾量為0.5～2％。
5.根據權利要求1所述的鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器，其特征在于，所述金屬鈦箔的厚度為0.1～1mm。
6.權利要求1～5任意一項所述鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器的制備方法，包括以下步驟：
(1)以金屬鈦箔為陽極，在醇溶液中進行陽極氧化，得到表面氧化鈦箔；
(2)將所述步驟(1)得到的表面氧化鈦箔進行退火，在金屬鈦箔表面形成TiO2納米管陣列；
(3)將所述步驟(2)得到的TiO2納米管陣列表面沉積金屬鈀，在金屬鈦箔表面形成鈀納米顆粒修飾的TiO2納米管陣列；
(4)在所述步驟(3)得到的鈀納米顆粒修飾的TiO2納米管陣列和所述金屬鈦箔表面分別引出一個銀電極，得到鈀修飾二氧化鈦納米管陣列肖特基結氫敏傳感器。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中陽極氧化的電壓為20～60V，陽極氧化的時間為10～60min。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中退火的溫度為400～600℃，退火的時間為50～70min。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中的沉積為紫外光誘導沉積。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述紫外光誘導沉積的條件包括：紫外光的波長為254～365nm，紫外光的強度為0.5～5mW/cm2，電流密度為0.5～5mA·cm-2，紫外光誘導沉積的時間為10～60s。
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