[發(fā)明專利]非對稱鰭內(nèi)存晶體管及其形成方法、半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711116015.4
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107680969B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，包括：

一襯底，具有多個有源區(qū)，形成于所述襯底中；

隔離結(jié)構(gòu)，形成于所述襯底中并圍繞所述有源區(qū)，多個所述有源區(qū)排布成多排；以及，

多條字線，形成于所述襯底中，所述多條字線穿過所述隔離結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)，且所述字線的底部覆蓋在所述有源區(qū)側(cè)邊的鰭部兩端長度不相同，以改善漏電流，每條所述字線穿過多排有源區(qū)、相鄰排所述有源區(qū)之間的所述隔離結(jié)構(gòu)以及在同一排中相鄰的兩個所述有源區(qū)之間的所述隔離結(jié)構(gòu)；

其中，對于同一條字線，在相鄰排中的兩個所述有源區(qū)之間的所述字線的底部距離所述字線在所述有源區(qū)的底部的高度差值為a，在同一排中相鄰的兩個所述有源區(qū)之間的所述字線的底部距離所述字線在所述有源區(qū)的底部的高度差值為b，其中，a≠b，且|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的較小者，當(dāng)a>b，則1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm，當(dāng)a<b，則0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。

2.如權(quán)利要求1所述的非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，每一排中所有的所述有源區(qū)的排布方向與所述有源區(qū)的長度方向呈銳角，相鄰排的有源區(qū)平行排列。

3.如權(quán)利要求1所述的非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)包括位于所述有源區(qū)的側(cè)壁上的第一隔離材料層，所述第一隔離材料層的厚度為1～200nm。

4.如權(quán)利要求3所述的非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)還包括位于所述第一隔離材料層上的第二隔離材料層，所述第一隔離材料層和所述第二隔離材料層具有不同刻蝕選擇比，所述第一隔離材料層同時形成于在相鄰排所述有源區(qū)之間的所述字線的底部和在同一排中相鄰的兩個所述有源區(qū)之間的所述字線的底部，所述第二隔離材料層僅形成在相鄰排所述有源區(qū)之間的所述字線的底部。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，相鄰所述有源區(qū)之間在所述字線延伸方向形成有第一間距和第二間距，所述第一間距大于所述第二間距，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部在所述第一間距的區(qū)段高度較高于在所述第二間距的區(qū)段高度，使得所述字線的底部在所述有源區(qū)對應(yīng)所述第一間距的側(cè)邊長度小于對應(yīng)所述第二間距的側(cè)邊長度。

6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的非對稱鰭內(nèi)存晶體管，其特征在于，相鄰所述有源區(qū)之間在所述字線延伸方向形成有第一間距和第二間距，所述第一間距大于所述第二間距，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部在所述第一間距的區(qū)段高度較低于在所述第二間距的區(qū)段高度，使得所述字線的底部在所述有源區(qū)對應(yīng)所述第一間距的側(cè)邊長度大于對應(yīng)所述第二間距的側(cè)邊長度。

7.一種非對稱鰭內(nèi)存晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

形成隔離結(jié)構(gòu)在所述襯底中，所述隔離結(jié)構(gòu)圍繞出多個有源區(qū)，多個所述有源區(qū)排布成多排；以及，

形成多條字線在所述襯底中，所述多條字線穿過所述隔離結(jié)構(gòu)和所述有源區(qū)，且所述字線的底部覆蓋在所述有源區(qū)側(cè)邊的鰭部兩端長度不相同，以改善漏電流，每條所述字線穿過多排有源區(qū)、相鄰排所述有源區(qū)之間的所述隔離結(jié)構(gòu)以及在同一排中相鄰的兩個所述有源區(qū)之間的所述隔離結(jié)構(gòu)；

其中，對于同一條字線，在相鄰排中的兩個所述有源區(qū)之間的所述字線的底部距離所述字線在所述有源區(qū)的底部的高度差值為a，在同一排中相鄰的兩個所述有源區(qū)之間的所述字線的底部距離所述字線在所述有源區(qū)的底部的高度差值為b，其中，a≠b，且|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的較小者，當(dāng)a>b，則1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm，當(dāng)a<b，則0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。