[發(fā)明專利]一種真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及多晶硅爐管機(jī)臺(tái)的真空監(jiān)控方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711115939.2
• 申請(qǐng)日: 2017-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107871678A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)包括一密閉腔體，所述密閉腔體上設(shè)有排氣管道；還包括，

抽真空模塊，與所述排氣管道連接，用于對(duì)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)作抽真空處理；

壓力檢測(cè)模塊，于所述排氣管道上設(shè)置，用于檢測(cè)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的壓力是否在半導(dǎo)體制作工藝允許的范圍內(nèi)，并且進(jìn)行漏率偵測(cè)；

氧氣分析模塊，于所述排氣管道上設(shè)置，對(duì)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的氣體成分進(jìn)行分析，以判定所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的氧氣含量是否在半導(dǎo)體制作工藝允許的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述抽真空模塊為真空泵裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，于所述真空泵裝置上設(shè)置一抽氣閥。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述壓力檢測(cè)模塊為壓力檢測(cè)儀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述氧氣分析模塊為氧氣分析儀，設(shè)置于所述抽真空模塊與所述壓力檢測(cè)模塊之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)為多晶硅爐管機(jī)臺(tái)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述多晶硅爐管機(jī)臺(tái)包括爐管、晶舟底部的密封罩，所述爐管和所述密封罩密閉接觸形成所述密閉空間。

8.一種多晶硅爐管機(jī)臺(tái)的真空監(jiān)控方法，應(yīng)用于上述權(quán)利要求1-7任一所述的真空監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)的排氣管道上同時(shí)配置所述氧氣分析模塊和所述壓力檢測(cè)模塊；

步驟S2，利用所述抽真空模塊對(duì)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)作抽真空處理，直至所述密閉腔體的壓力穩(wěn)定；

步驟S3，利用所述壓力檢測(cè)模塊檢測(cè)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的壓力是否在半導(dǎo)體制作工藝允許的范圍內(nèi)，并且進(jìn)行漏率偵測(cè)；同時(shí)，利用所述氧氣分析模塊對(duì)所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的氣體成分進(jìn)行分析，以判定所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的氧氣含量是否在半導(dǎo)體制作工藝允許的范圍內(nèi)；

步驟S4，如果所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)內(nèi)的壓力和氧氣含量均在半導(dǎo)體制作工藝環(huán)境允許的范圍內(nèi)，則半導(dǎo)體制作工藝?yán)^續(xù)進(jìn)行；反之，立刻停止半導(dǎo)體制作工藝，反饋至所述半導(dǎo)體工藝機(jī)臺(tái)。