[發明專利]一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的裝置及方法

有效

• 申請號: 201711115938.8
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107797392B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 郭曉波
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的裝置包括：

掩膜版承載臺，所述掩膜版承載臺設置于光刻機內，所述掩膜版承載臺上置有掩膜版；

氣簾產生裝置，所述氣簾產生裝置沿左右方向設置，并且所述氣簾產生裝置位于所述掩膜版承載臺的上方；所述氣簾產生裝置用于產生氣簾；

氣束產生裝置，所述氣束產生裝置設置于左右方向的一側，并且所述氣束產生裝置位于所述掩膜版承載臺的上方；所述氣束產生裝置用于產生氣束；

顆粒檢測裝置，所述顆粒檢測裝置設置于所述掩膜版承載臺的上方，用于對所述掩膜版的上表面進行顆粒檢測；

所述方法包括以下步驟：

步驟一、所述掩膜版傳輸中至所述掩膜版承載臺上；

步驟二、所述顆粒檢測裝置對所述掩膜版進行顆粒檢測，判斷所述掩膜版的顆粒值是否符合規定；若顆粒檢測裝置檢測不合格，則執行步驟三；否則，執行步驟四；

步驟三、所述氣束產生裝置產生傾斜的氣束，并且調節所述氣束的傾斜角；傾斜氣束將所述掩膜版圖形層上的顆粒去除，同時，旋轉和傾斜所述掩膜版；再次返回步驟二進行判斷；

步驟四、開啟所述氣簾產生裝置，產生所述氣簾；

步驟五、開始進行曝光過程，使曝光光線到達所述掩膜版圖形層上；

步驟六、曝光過程結束后，將所述掩膜版裝入專用的掩膜版盒中存放，隨后關閉氣簾產生裝置，停止所述氣簾產生。

2.根據權利要求1所述一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述掩膜版上表面還設有掩膜版圖形層。

3.根據權利要求2所述一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述氣簾平行于所述掩膜版承載臺的水平面，所述氣簾阻擋曝光過程中所述掩膜版之外的顆粒侵入到所述掩膜版圖形層。

4.根據權利要求3的一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述氣束為傾斜氣束，所述氣束的傾斜角為所述氣束的氣流方向與所述掩膜版承載臺的水平面的夾角，所述傾斜角的調節范圍為10-60°；所述氣束用于將已經落入到所述掩膜版上的顆粒去除。

5.根據權利要求3的一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述氣簾的保護氣體由氫氣、氦氣或兩者混合產生，所述氣簾距所述掩膜版承載臺的高度的調節范圍為2-10厘米。

6.根據權利要求1的一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述氣簾和所述氣束可同時開啟，也可以單獨開啟。

7.根據權利要求1所述的一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述步驟五的所述曝光過程中，所述掩膜版一直置于所述的氣簾的下方。

8.根據權利要求1所述的一種減少極紫外光刻工藝中掩膜版顆粒污染的方法，其特征在于，所述掩膜版能夠在所述掩膜版承載臺上進行上下、左右、前后移動、旋轉以及傾斜動作。