[發明專利]一種氧化鋯陶瓷與氧化鋁陶瓷共燒的片式氧傳感器陶瓷芯片

在審

• 申請號: 201711115583.2
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN107741447A
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 胡元云;張斌;龐佳妮;尤源
• 申請（專利權）人: 嘉興佳利電子有限公司
• 主分類號: G01N27/407
• 分類號: G01N27/407;G01N27/409
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司33214
• 代理人: 王從友

1.一種氧化鋯陶瓷與氧化鋁陶瓷共燒的片式氧傳感器陶瓷芯片，其特征在于，該片式氧傳感器陶瓷芯片包括保護層(1)、第一氧化鋁陶瓷基體(10A)、外電極引腳(2)、內電極引腳(3)、鉑金外電極(4)、氧化鋯反應層(5)、鉑金內電極(6)、外電極通孔鉑金導線(7)、內電極通孔鉑金導線(8)、第二氧化鋁陶瓷基體(10B)、第三氧化鋁陶瓷基體(10C)、加熱器(11)、第四氧化鋁陶瓷基體(10D)、第一加熱通孔鉑金導線(14)、第二加熱通孔鉑金導線(15)、第一加熱電極引腳(12)和第二加熱電極引腳(13)；所述的保護層(1)和第一氧化鋁陶瓷基體(10A)分別覆蓋設置在氧化鋯反應層(5)的左、右上方，所述的外電極引腳(2)、內電極引腳(3)設置在第一氧化鋁陶瓷基體(10A)的上方，所述的外電極通孔鉑金導線(7)穿過第一氧化鋁陶瓷基體(10A)，外電極通孔鉑金導線(7)的上端與所述的外電極引腳(2)相連接，下端與鉑金外電極(4)相連接，所述的內電極通孔鉑金導線(8)穿過第一氧化鋁陶瓷基體(10A)和氧化鋯反應層(5)，上端與所述的內電極引腳(3)相連接，下端與鉑金內電極(6)相連接；所述的第二氧化鋁陶瓷基體(10B)設置在氧化鋯反應層(5)的下方，在第二氧化鋁陶瓷基體(10B)上設置有參比氣道(9)；所述的加熱器(11)設置在第三氧化鋁陶瓷基體(10C)和第四氧化鋁陶瓷基體(10D)之間，第三氧化鋁陶瓷基體(10C)設置在第二氧化鋁陶瓷基體(10B)的下方，第一加熱電極引腳(12)和第二加熱電極引腳(13)分別設置在第四氧化鋁陶瓷基體(10D)的下方，所述的第一加熱通孔鉑金導線(14)、第二加熱通孔鉑金導線(15)分別穿過第四氧化鋁陶瓷基體(10D)，下端分別連接第一加熱電極引腳(12)和第二加熱電極引腳(13)，上端分別連接加熱器(11)的兩極。